Díode túnel

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Díode túnel 1N3716 (vs. jumper)
Símbol del Díode túnel

El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dóna origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió.[1] La presència del tram de resistència negativa permet la seva utilització com a component actiu (amplificador/oscil·lador). També es coneixen com díodes Esaki, en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que involucren microones i que estan relativament lliures dels efectes de la radiació.

Vegeu també[modifica | modifica el codi]

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. Betty Prince. Emerging Memories: Technologies and Trends. Springer, 28 February 2002, p. 191–. ISBN 978-0-7923-7684-2. 
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Díode túnel