DDR3 SDRAM

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca

DDR3 SDRAM és el nom del nou estàndard que està sent desenvolupat com a successor del DDR2 SDRAM.

La memòria promet una reducció del consum de potència del 40% comparat amb els mòduls DDR2 comercials actuals, degut a la tecnologia de fabricació de 90 nm, permetent menors corrents i voltatges (1,5 V, comparat amb els 1,8 V de DDR2 o els 2,5 de DDR) d'operació. Es faran servir transistors de "doble porta" per reduir les pèrdues de corrent.

L'ample del buffer de precàrrega de DDR3 és de 8 bits, mentre que a DDR2 és de 4 bits, i a DDR és de 2 bits.

Teòricament, aquests mòduls podrien transferir dades a la velocitat de rellotge efectiva de 800-1600 MHz (per a un sol amplada de banda de rellotge de 400-800 MHz), comparat amb el rang actual de DDR2, de 400-1066 MHz (200-533 MHz) o el rang de DDR, de 200-600 MHz (100-300 MHz). Fins avui, aquests requeriments d'amplada de banda han estat principalment al mercat gràfic, on es necessita transferència ràpida d'informació entre els framebuffers.

A principis de 2005 es van anunciar prototipus, mentre que l'especificació DDR3 s'espera que estigui públicament disponible a mitjans de 2007. Suposadament, Intel havia anunciat prèviament que esperaven ser capaços d'oferir suport per a aquesta a mitjans de 2007, amb una versió del seu pròxim chipset Bearklake. El roadmap d'AMD indica que la seva adopció de DDR3 arribarà en 2008.

Els DIMMS DDR3 tenen 240 pins, el mateix nombre que DDR2; això no obstant, els DIMMS són físicament incompatibles, a causa de la ubicació diferent de l'osca clau.

La memòria GDD3, amb un nom similar però tecnologia completament diferent, s'ha fet servir durant alguns anys a targetes gràfiques de gamma alta, com les de NVIDIA o ATI Technologies, i com a memòria principal del sistema a la Xbox 360. A vegades és citada incorrectament com "DDR3".