Transistor IGBT

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca

El transistor IGBT (de l'anglès Insulated Gate Bipolar Transistor, transistor bipolar amb porta aillada) combina les senzilles característiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturació dels transistors bipolars. Això s'aconsegueix juntant en un únic dispositiu una porta aillada FET per al control amb un transtor bipolar de potència actuant en conmutació.

El IGBT és una invenció recent. Els dispositius de "primera generació" que aparegueren en 1980 i principis dels 90 eren relativament lents en conmutació i tendien a fallar. Els dispositius de segona generació milloraren molt, però res comparat amb els actuals de tercera generació, què tenen una velocitat que hi rivalitza amb els MOSFETs, a més d'una excel·lent duresa i tolerancia a sobrecàrregues.

El IGBT s'usa principalment en fonts d'alimentació conmutades i en aplicacions de control de motors. Els avanços en la segona i tercera generació els feren útils en àrees com la física de partícules, on comencen a suplantar a altres dispositius.

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor IGBT Modifica l'enllaç a Wikidata