10 nanòmetres

De Viquipèdia
Salta a la navegació Salta a la cerca
Fig.1 Exemple de tecnologia de 10 nm : No disponible encara
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1989
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2019
3 nm ~2021

10 nanòmetres (10 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 10 nm. És una millora de la tecnologia de 14 nm.  La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 18 àtoms de llargada. [1][2][3]

Història[modifica]

  • 2015, l'empresa TSMC anuncia el començament de la producció en 10 nm.
  • 2015, l'empresa Samsung mostra oblies de 300mm amb FinFET de 10 nm.
  • 2016, Intel comença la producció de prova de 10 nm.
  • 2016, Samsung anuncia la producció en massa de 10 nm

.

 Tecnologia emprada[modifica]

Processadors [modifica]

Fig.1 Transistor FinFET

Informació preliminar : [4]

Fabricant Intel Samsung TSMC SK Hynix
Nom del procés P1274 10LPE, 10LPP, 10LPU  
Primera producció 2017 2017 2017 2017
Tipus FinFET
  Valor 14 nm Δ Valor 14 nm Δ Valor 16 nm Δ Valor 18 nm Δ
Pas de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Amplada de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Alçada de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Pas de contacte de porta 54 nm 0.77x 64 nm 0.82x 64 nm 0.71x  ? nm  ?x
Pas de connexió  ? nm  ?x 48 nm 0.75x 42 nm 0.66x  ? nm  ?x
Cel.lula 1 bit de RAM (HD)  ? µm²  ?x 0.049 µm² 0.61x  ? µm²  ?x  ? nm  ?x
Cel.lula 1 bit de RAM (LP)  ? µm²  ?x 0.040 µm² 0.63x  ? µm²  ?x  ? nm  ?x

 Vegeu també[modifica]

Referències[modifica]

  1. «Intel's 10nm Enigma | Siliconica» (en anglès). electroiq.com. [Consulta: 20 març 2017].
  2. «Samsung’s new 10nm process promises big power efficiency improvements» (en anglès). Ars Technica, 20-03-2017.
  3. «First mass production of system-on-chip with 10-nanometer finFET technology». phys.org, 20-03-2017.
  4. «10 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 20 març 2017].