22 nanòmetres

De Viquipèdia
Salta a la navegació Salta a la cerca
Fig.1 Exemple de tecnologia de 22 nm : Intel core i7
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1989
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2020

22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm. És una millora de la tecnologia de 32 nm.  La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 40 àtoms de llargada.[1][2][3]

 Tecnologia emprada[modifica]

Processadors [modifica]

Fabricant Data CPU Notes
Toshiba 2010 Memòria NAND
Hynix 2010 Memòria Flaix
Intel 2012 Intel Core i7, i5
Fig.2 Transistor FinFET

[4]

Fabricant Intel Common Platform
Nom del procés P1270 (CPU) / P1271 (SoC)
Tipus FinFET Planar
Primera producció 2011 2012
Oblia 300 mm
  Valor 32 nm Δ Valor 32 nm Δ
Pas de Fin 60 nm N/A
Amplada de Fin 8 nm
Alçada de Fin 34 nm
Pas de contacte de porta 90 nm 0.80x 100 nm 0.79x
Pas de connexió 80 nm 0.71x 80 nm  ?x
Cel.lula 1 bit de RAM (HD) 0.1080 µm2 0.63x 0.1 µm2 0.67x
Cel.lula 1 bit de RAM (LP) 0.092 µm2  ?x
Cel.lula 1 bit de DRAM 0.026 µm2 0.67x

 Vegeu també[modifica]

Referències[modifica]

  1. «Intel® 22 nm Technology» (en anglès). www.intel.com. [Consulta: 19 març 2017].
  2. «The Making of a 22 nm Chip» (en anglès). www.intel.com. [Consulta: 19 març 2017].
  3. Eassa, Ashraf «Will There Be Any Takers for Intel Corporation’s 22-Nanometer Technology? -- The Motley Fool» (en anglès). The Motley Fool, 19-03-2017.
  4. «22 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 19 març 2017].