Carborúndum

De Viquipèdia
(S'ha redirigit des de: Carbur de silici)
Salta a la navegació Salta a la cerca
Infotaula de compost químicCarborúndum
Siliciumcarbid.jpg
Modifica el valor a Wikidata
Substància químicacompost químic i sòlid de xarxa covalent Modifica el valor a Wikidata
Massa molecular39,977 u Modifica el valor a Wikidata
Descobridor o inventorEdward Goodrich Acheson Modifica el valor a Wikidata
Rolbiocompatible material (en) Tradueix Modifica el valor a Wikidata
Estructura química
Fórmula químicaSiC Modifica el valor a Wikidata
SMILES canònic
Model 2D
[C-]#[Si+] Modifica el valor a Wikidata
Identificador InChIModel 3D Modifica el valor a Wikidata
Propietat
Densitat3,23 g/L (a 20 °C) Modifica el valor a Wikidata
Índex de refracció2,55 Modifica el valor a Wikidata
Temperatura de sublimació2.700 °C Modifica el valor a Wikidata
Pressió de vapor0 mmHg (a 20 °C) Modifica el valor a Wikidata
Perill
Límit d'exposició mitjana ponderada en el temps5 mg/m³ (10 h, Estats Units d'Amèrica)
10 mg/m³ (10 h, cap valor)
15 mg/m³ (8 h, Estats Units d'Amèrica) Modifica el valor a Wikidata
NFPA 704.svg
0
1
0
 
Modifica el valor a Wikidata

El carbur de silici o carborúndum (SiC) és un carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura de diamant, tot i que la diferent mida del C i Si podria impedir-la. És gairebé tan dur com el diamant.

És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en el fet que sobre l'estructura amfitrió (C en forma de diamant) se substitueixen àtoms d'aquest per àtoms de silici, sempre que el buit que es deixi sigui similar a la mida de l'àtom que l'ocuparà.

El carbur de silici es tracta d'un material semiconductor ({2,4 V) i refractari que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o l'arsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: díodes, transistors, supressors ..., i fins i tot dispositius per microones d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.

Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·107cm-1) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les seves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.

Obtenció[modifica]

El carbur de silici s'obté de sorres o quars d'alta puresa i coc de petroli fusionats en forn elèctric a més de 2000 °C amb la següent composició:

SiO 2 +3 C? SiC+2 CO

Selecció, mòlta, rentat, assecat, separació magnètica, absorció de la pols, cribratge, barrejat i envasat.

Vegeu també[modifica]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Carborúndum