Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions
Cap resum de modificació |
m r2.7.2+) (Robot modifica: ko:장효과 트랜지스터 |
||
| Línia 36: | Línia 36: | ||
[[it:Transistor a effetto di campo]] |
[[it:Transistor a effetto di campo]] |
||
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
||
[[ko: |
[[ko:장효과 트랜지스터]] |
||
[[lt:Lauko tranzistorius]] |
[[lt:Lauko tranzistorius]] |
||
[[lv:Lauktranzistors]] |
[[lv:Lauktranzistors]] |
||
Revisió del 09:33, 23 set 2012
El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resistències controlades per voltatge.
La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es deposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs).
Tipus de transistors d'efecte camp
Podem classificar els transistors d'efecte camp segons el mètode d'aïllament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aïllant (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unió p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), també anomenat HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
La característica dels TFT que els distingueix, és que fan ús del silici amorf o del silici policristal·lí.
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor d'efecte camp |