Vés al contingut

Microones: diferència entre les revisions

1 octet eliminats ,  fa 10 anys
cap resum d'edició
Cap resum de modificació
Cap resum de modificació
 
== Generació ==
Les microones poden ser generades de diverses maneres, generalment dividides en dues categories: amb dispositius d'estat sòlid i amb dispositius basats en [[tub de buit|tubs de buit]]. Els dispositius d'estat sòlid per a microones es basen en [[semiconductor]]s de [[silici]] o [[arseniur de gali]], i inclouen [[transistor d'efecte camp|transistors d'efecte camp]] (FET, ''field effect transistor''), [[transistor d'unió bipolar|transistors d'unió bipolar]] (BJT, ''bipolar junction transistor''), [[diode Gunn|diodes Gunn]] i [[diode IMPATT|diodes IMPATT]]. S'han desenvolupat versions especialitzades de transistors estàndard per a altes velocitats, que són les utilitzades habitualmentehabitualment en aplicacions de microones.
 
Els dispositius basats en tubs de buit operen tenint en compte el moviment balístic d'un electró en el buit sota la influència de camps elèctrics o magnètics, entre els quals s'inclouen el [[magnetró]], el [[klystron]], els [[tub d'ones viatgeres|tubs d'ones viatgeres]] (TWT, ''travelling wave tube'') i el [[girotró]].
Usuari anònim