Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions
m r2.7.2+) (Robot afegeix: jv:Transistor efek–medan |
|||
| Línia 19: | Línia 19: | ||
{{ORDENA:Transistor D'Efecte Camp}} <!--ORDENA generat per bot--> |
{{ORDENA:Transistor D'Efecte Camp}} <!--ORDENA generat per bot--> |
||
[[Categoria:Transistors]] |
[[Categoria:Transistors]] |
||
[[ar:مقحل حقلي]] |
|||
[[be:Палявы транзістар]] |
|||
[[be-x-old:Палявы транзыстар]] |
|||
[[bg:Полеви транзистор]] |
|||
[[bn:ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] |
|||
[[cs:Unipolární tranzistor]] |
|||
[[da:Felteffekttransistor]] |
|||
[[de:Feldeffekttransistor]] |
|||
[[en:Field-effect transistor]] |
|||
[[es:Transistor de efecto campo]] |
|||
[[et:Väljatransistor]] |
|||
[[ext:FET]] |
|||
[[fa:ترانزیستور اثر میدان]] |
|||
[[fi:Kanavatransistori]] |
|||
[[fr:Transistor à effet de champ]] |
|||
[[id:Transistor efek–medan]] |
|||
[[it:Transistor a effetto di campo]] |
|||
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
|||
[[jv:Transistor efek–medan]] |
|||
[[ko:장효과 트랜지스터]] |
|||
[[lt:Lauko tranzistorius]] |
|||
[[lv:Lauktranzistors]] |
|||
[[mk:Транзистор со ефект на поле]] |
|||
[[mn:Оронгийн транзистор]] |
|||
[[nl:Veldeffecttransistor]] |
|||
[[pl:Tranzystor polowy]] |
|||
[[pt:Transistor de efeito de campo]] |
|||
[[ro:Tranzistor unipolar]] |
|||
[[ru:Полевой транзистор]] |
|||
[[sk:Tranzistor riadený poľom]] |
|||
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]] |
|||
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]] |
|||
[[sv:Fälteffekttransistor]] |
|||
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]] |
|||
[[tr:Alan etkili transistör]] |
|||
[[uk:Польовий транзистор]] |
|||
[[zh:场效应管]] |
|||
Revisió del 07:30, 8 març 2013
El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resistències controlades per voltatge.
La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es deposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs).
Tipus de transistors d'efecte camp
Podem classificar els transistors d'efecte camp segons el mètode d'aïllament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aïllant (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unió p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), també anomenat HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
La característica dels TFT que els distingueix, és que fan ús del silici amorf o del silici policristal·lí.
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor d'efecte camp |