Diferència entre revisions de la pàgina «Carborúndum»

Salta a la navegació Salta a la cerca
2 octets eliminats ,  fa 6 anys
m
cap resum d'edició
m (Corregit: a elevat voltatge i alta energia -> a voltatges elevats i a altes energies)
m
És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en què sobre l'estructura amfitrió (C en forma de diamant) se substitueixen àtoms d'aquest per àtoms de [[silici]], sempre que el buit que es deixi sigui similar a la mida de l'àtom que l'ocuparà.
 
El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arseniürarsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
 
Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·10<sup>7</sup>cm<sup>-1</sup>) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les seves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.
69.780

modificacions

Menú de navegació