Carbur de silici: diferència entre les revisions

Contingut suprimit Contingut afegit

En línia

Revisió del 20:07, 18 feb 2014

El carbur de silici o carborúndum (SiC) és un carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura de diamant, tot i el diferent mida del C i Si, que podria impedir la mateixa. És gairebé tan dur com el diamant.

És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en què sobre l'estructura amfitrió (C en forma de diamant) se substitueixen àtoms d'aquest per àtoms de silici, sempre que el buit que es deixi sigui similar a la mida de l'àtom que l'ocuparà.

El carbur de silici es tracta d'un material semiconductor ({2,4 V) i refractari que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: díode s, transistor és, supressors ..., i fins i tot dispositius per microones s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.

Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·10⁷cm^-1) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les seves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.

Obtenció

El carbur de silici s'obté de sorres o quars d'alta puresa i coc de petroli fusionats en forn elèctric a més de 2000ºC amb la següent composició:

SiO ₂+3 C? SiC+2 CO

Selecció, mòlta, rentat, assecat, separació magnètica, absorció de la pols, cribratge, barrejat i envasat.

Vegeu també

Exemples de materials ceràmics

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Carbur de silici

Plantilla:Enllaç AB

@@ Línia 4: / Línia 4: @@
 És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en què sobre l'estructura amfitrió (C en forma de diamant) se substitueixen àtoms d'aquest per àtoms de [[silici]], sempre que el buit que es deixi sigui similar a la mida de l'àtom que l'ocuparà.
-El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arseniür de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
+El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
 Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·10<sup>7</sup>cm<sup>-1</sup>) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les seves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.