Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions
m Robot modifica: pt:Transistor de efeito de campo |
m Robot afegeix: id:Transistor efek–medan |
||
| Línia 31: | Línia 31: | ||
[[fi:Kanavatransistori]] |
[[fi:Kanavatransistori]] |
||
[[fr:Transistor à effet de champ]] |
[[fr:Transistor à effet de champ]] |
||
[[id:Transistor efek–medan]] |
|||
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
||
[[ko:전계효과 트랜지스터]] |
[[ko:전계효과 트랜지스터]] |
||
Revisió del 04:19, 24 abr 2009
El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resistències controlades per voltatge.
La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es deposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs).
Tipus de transistors d'efecte camp
Podem clasificar els transistors d'efecte camp segons el mètode d'aïllament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aïllant (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unió p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), també anomenat HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
La característica dels TFT que els distingueix, és que fan ús del silici amorf o del silici policristal·lí.
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor d'efecte camp |