NVRAM: diferència entre les revisions

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Contingut suprimit Contingut afegit
Pàgina nova, amb el contingut: «{{MM|2L = si|FR = si}} La ''' memòria d'accés aleatori no volàtil ''', referida de vegades per les seves sigles en anglès '''...».
 
Línia 23: Línia 23:
<references/>
<references/>


[[Categoria:Memòries no volàtils]]
[[Categoria:Memòria informàtica]]
[[Categoria:Memòria informàtica]]



Revisió del 10:30, 31 jul 2012

La memòria d'accés aleatori no volàtil , referida de vegades per les seves sigles en anglès NVRAM ( Non-volatile random access memory ) és un tipus de memòria d'accés aleatori que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada en tallar l'alimentació elèctrica.

En els routers s'utilitza, per emmagatzemar un fitxer de configuració de seguretat(inici).

Avui dia, la majoria de memòries NVRAM són memòries flash ja que són molt usades per telèfons mòbils i reproductors portàtils d'àudio.

La necessitat de mantenir les dades, fins i tot quan cessa la alimentació, va motivar el sorgiment de diversos tipus de memòries ROM reprogramables: elèctricament alterables - EAROM, elèctricament esborrables - EEPROM, programables i esborrables - PEROM i flash EEPROM. Cada nou tipus millora la facilitat de gravació i durada dels dada s, però disten de poder utilitzar-se com memòria RAM.

Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura hi ha dues estratègies diferents:

Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.

La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les CMOS-RAM: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les piles de liti (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions.

La segona estratègia consisteix a superposar una RAM a una EEPROM, bit a bit. En funcionament normal les dades s'escriuen i llegeixen de la RAM, però davant un pols de "retenció", el contingut de la RAM passa a la EEPROM en paral·lel. Aquestes EEPROM poden mantenir les dades sense alimentació més de 10 anys, superant la vida de pila de liti. El pols de retenció el que pot generar tant un monitor de tensió intern com un senyal generada externament. Aquestes memòries necessiten que l'alimentació s'extingeixi prou poc a poc com per permetre que es completi la enregistrament de les dades. A la pràctica, els condensadors de l'alimentació són suficients. Quan l'alimentació torna al seu valor nominal, les dades passen de la EEPROM a la RAM.

Vegeu també

Nota