FinFET

De Viquipèdia
Jump to navigation Jump to search
Fig.1 Estructura d'un transistor FinFET

FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor.[1][2][3][4]

Paràmetres[modifica]

  • Avantatge dels transistors FinFET : [5]
Paràmetre Detall
Superfície en SI Permet implementar transistors per sota dels 22 nm (actualment estan a 5 nm)
Consum de potència Reducció significativa del consum elèctric.
Tensió d'operació Permet treballar per sota 1V.
Corrent de pèrdues Reducció típica del 90%.
Velocitat d'operació Millora típica del 30%.

Implementacions[modifica]

Empresa Data Tecnologia

FinFET

GlobalFoundries 2012 14 nm
TSMC 2014 16 nm
AMD Abril 2017 14 nm
Samsung Març 2017 14 nm
TSMC setembre 2017 10 nm

Referències[modifica]