Fitxer:Self-aligned (spacer) double pattering (SaDP).svg
Mida d'aquesta previsualització PNG del fitxer SVG: 580 × 503 píxels. Altres resolucions: 277 × 240 píxels | 554 × 480 píxels | 886 × 768 píxels | 1.181 × 1.024 píxels | 2.362 × 2.048 píxels.
Fitxer original (fitxer SVG, nominalment 580 × 503 píxels, mida del fitxer: 20 Ko)
 | Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons._double_pattering_(SaDP).svg?uselang=ca){kind=small} Vegeu la pàgina original a Commons |
Resum
| Descripció |
English: Process flow for multiple patterning process: self-aligned (spacer) double pattering
a) features after the photolithographic patterning, b) conformal Si3N4 deposition, c) Spacer production by anisotropic etching, d) removing the resist mask, e) anisotropic etching of the underlying layer (eg poly-Si), f) Final hard mask for the removal of the spacer material with denser lines
Deutsch: Prozessablauf für das Mehrfachstrukturierungs-Verfahren: self-aligned (spacer) double pattering
a) Struktur nach der fotolithografischen Strukturierung; b) konforme Si3N4-Abscheidung; c) Spacer-Herstellung durch anisotopes Ätzen; d) Entfernung der Resistmaske; e) anisotropes Ätzen der darunterliegenden Schicht (z. B. Poly-Si); f) Fertige Hartmaske nach der Entfernung des Spacer-Materials |
| Data | |
| Font | Treball propi |
| Autor | Cepheiden |
Llicència
Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
|
S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License. |
Aquest fitxer està subjecte a la llicència Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada, 2.5 Genèrica, 2.0 Genèrica i 1.0 Genèrica.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
- compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
| Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
|---|---|---|---|---|---|
| actual | 17:47, 23 nov 2011 | | 580 × 503 (20 Ko) | Cepheiden | {{Information |Description ={{en|1=Process flow for multiple patterning process: self-aligned (spacer) double pattering a) features after the photolithographic patterning, b) conformal Si3N4 deposition, c) Spacer production by anisotropic etching, d) r |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a de.wikipedia.org
_double_pattering_(SaDP).svg){kind=link}