Fosfur d'indi

De Viquipèdia
Infotaula de compost químicFosfur d'indi
Indium phosphide.jpg
Modifica el valor a Wikidata
Substància químicacompost químic i cancerigen Modifica el valor a Wikidata
Massa molecular145,878 Da Modifica el valor a Wikidata
Estructura química
Fórmula químicaInP Modifica el valor a Wikidata
SMILES canònic
Model 2D
P#[In] Modifica el valor a Wikidata
Identificador InChIModel 3D Modifica el valor a Wikidata
Cristal·lografia
Sistema cristal·lísistema cristal·lí cúbic Modifica el valor a Wikidata

El fosfur d'indi (amb fórmula química InP) és un semiconductor binari format per indi i fòsfor. Té una estructura cristal·lina cúbica ("zincblenda") centrada en les cares, idèntica a la del GaAs i la majoria dels semiconductors III-V. El fosfur d'indi es pot preparar a partir de la reacció de fòsfor blanc i iodur d'indi a 400 °C.,[1] també per combinació directa dels elements purificats a alta temperatura i pressió, o per descomposició tèrmica d'una barreja d'un compost trialquil indi i fosfina.[2]

Superfície nanocristal·lina de fosfur d'indi obtinguda per gravat electroquímic i vista al microscopi electrònic d'escaneig. Acolorida artificialment en el postprocessament d'imatges.

InP s'utilitza en electrònica d'alta potència i alta freqüència a causa de la seva velocitat d'electrons superior respecte als semiconductors més comuns de silici i arsenur de gal·li.[3]

Estructura cristal·lina

Es va utilitzar amb arsenur d'indi gal·li per fer un transistor bipolar d'heterounió pseudomòrfica que bat el rècord que podria funcionar a 604 GHz.[4]

També té un bandgap directe, el que el fa útil per a dispositius optoelectrònics com els díodes làser. L'empresa Infinera utilitza fosfur d'indi com el seu principal material tecnològic per a la fabricació de circuits integrats fotònics per a la indústria de les telecomunicacions òptiques, per permetre aplicacions de multiplexació per divisió de longitud d'ona.[5]

Referències[modifica]