Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica)

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Fig.1 Mecanisme de fotolitografia EUV : llínies en vermell (radiació ultraviolada) que és absorbida per la capa de substracte (zona groga i marró)
Fig.2 Mecansme d'EUVL : fonts de radiació, màscara a gravar, òptiques reflectives i substracte objectiu.

Fotolitografia ultraviolada extrema (també coneguda per EUVEUVL), en electrònica, és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona d'ultraviolat extrem (radiació ultraviolada d'alta energia) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la llei de Moore.[1][2][3][4]

Característiques[modifica]

  • Longitud d'ona de 13,5 nm, però tots els sòlids, líquids i gasos absorbeixen aquesta longitud d'ona, per tant :
    • el procés cal realitzar-lo al buit.
    • i en comptes d'òptiques d'enfocament cal emprar reflectors òptics (vegeu Fig.2)

Fabricants[modifica]

Exemple d'empreses que implementen EUVL : Intel, TSMC, GlobalFoundries, ASML Holding

Referències[modifica]