Memòria FeRAM

De Viquipèdia
Salta a: navegació, cerca
Fig.1 Estructura FeRAM

Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació). La FeRAM és una de les opcions a memòria RAM no volàtil a l'hora de substituir la memòria flaix. [1][2]

Propietats de FeRAM[modifica]

Avantatges respecte la memòria flaix:

  • Menor consum d'energia.
  • Cicles d'escriptura més ràpids.
  • Major nombre de cicles d'escriptura (al voltant de 1010 a 1014 cicles).
  • Major retenció de dades (més de 10 anys a +85ºC).

Desavantatges respecte la memòria flaix:

  • Menor densitat de quantitat memòria per unitat de superfície.
  • Major cost.

Comparativa de memòries[modifica]

Segons : [1]

Paràmetre FRAM SRAM E2PROM Flaix
No volàtil No
Cicles d'escriptura 1010 sense límit ~500 000 10 000
Velocitat d'escriptura per 13 KB 10ms <10ms 2s 1s
Consum energia en µA/MHz 80 <60 fins a 10 mA 260
Adreçable byte a byte No

Fabricants de memòria FeRAM[modifica]

Segons :[3]

Vegeu també[modifica]

  • nano-RAM : RAM amb nanotubs de carboni.
  • SRAM : RAM estàtica.
  • Flaix : memòria flaix.
  • E2PROM : memòria esborrable elèctricament.
  • ReRAM : memòria RAM resistiva.
  • DRAM : memòria dinàmica
  • MRAM : memòria RAM magnetoresistiva

Referències[modifica]

  1. 1,0 1,1 «What is FRAM | Ferroelectric Random Access Memory FeRAM | Tutorial» (en en). [Consulta: 23 gener 2017].
  2. «Memòria FeRAM» (en anglès). http://web.eecs.umich.ed.+[Consulta: 23 gener 2017].
  3. Gautschi, Rainbow WEB Production Switzerland - Arnold. «Sherlab.com - The #1 Linkpage to Manufacturers of Electronic Parts and Semiconductors». [Consulta: 23 gener 2017].