Nitrur d'escandi
 | |
| Substància química | tipus d'entitat química  |
|---|---|
| Massa molecular | 58,958986 Da |
| Estructura química | |
| Fórmula química | NSc |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
| Cristal·lografia | |
| Sistema cristal·lí | sistema cristal·lí cúbic |
El nitrur d'escandi (ScN) és un semiconductor de banda intercalada indirecta binari III-V. Està compost pel catió escandi i l'anió nitrur. Forma cristalls que es poden cultivar sobre paper de tungstè mitjançant sublimació i recondensació.[1] Té una estructura de cristall de sal de roca amb una constant de gelosia de 0,451 nanòmetres, un interval de banda indirecte de 0,9 eV i un interval de banda directa de 2 a 2,4 eV.[1] [2] Aquests cristalls es poden sintetitzar mitjançant la dissolució de gas nitrogenat amb foses d'indi-escandi, polverització de magnetrons, MBE, HVPE i altres mètodes de deposició.[2] [3] El nitrur d'escandi també és una porta eficaç per als semiconductors sobre un substrat de diòxid de silici (SiO₂) o diòxid d'hafni (HfO₂).[4]
Referències[modifica]
- ↑ 1,0 1,1 Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 15, 8, agost 2004, pàg. 555–559. DOI: 10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c.
- ↑ 2,0 2,1 Biswas, Bidesh; Saha, Bivas Physical Review Materials, 3, 2, 14-02-2019. DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.020301. ISSN: 2475-9953.
- ↑ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi International Journal of Applied Ceramic Technology, 13, 6, 04-08-2016, pàg. 1134–1138. DOI: 10.1111/ijac.12576.
- ↑ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang Japanese Journal of Applied Physics, 45, 2, 13-01-2006, pàg. L83–L85. DOI: 10.1143/JJAP.45.L83.