De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Fig.1 Exemple de tecnologia de 65 nm : Texas Instruments OMAP
65 nanòmetres (65 nm ) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 65 nm . És una millora de la tecnologia de 90 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de
65
≃
90
2
{\displaystyle 65\simeq {\frac {90}{\sqrt {2}}}}
. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 100 àtoms de largada.[1] [2]
El 2007, Intel, AMD, IBM, UMC, Chartered i TMSC produeixen circuits integrtas amb tecnologia 65 nm.
Tecnologia emprada [ modifica ]
Tensió del nucli : 1.0V
Gruixos de porta de transistor tant petit com 1,2nm.
Materials dielèctrics de low-k (k=2,25) per a reduir les capacitats paràsites entre transistors.
Materials dielèctrics de high-k per a augmentar la capacitat de porta dels transistors.
icant
Data
CPU
Notes
Intel
2006
Pentium 4, D
Intel
2006
Celeron D
Intel
2006
Core, 2
Intel
2006
Xeon
AMD
2007
Athlon 64
AMD
2007
Turion 64 X2
AMD
2007
Phenom
IBM
2007
Cell, z10
Microsoft
2008
Falcon, Opus, Jasper
Sun
2007
UltraSPARC T2
AMD
2008
Turion Ultra
TI
2008
OMAP 3
[3]
Fabricant
Intel
IBM / Toshiba / Sony / AMD
TI
IBM / Chartered / Infineon / Samsung
TSMC
Fujitsu
Nom del procés
P1264
CS-200/CS-201/CS-250
Primera producció
2005
2005
2007
2005
2005
2006
Tipus
300mm
Oblia
8
10
11
10
11
Capes de Metal
Value
90 nm Δ
Value
90 nm Δ
Value
90 nm Δ
Value
90 nm Δ
Value
90 nm Δ
Value
90 nmΔ
220 nm
0.85x
250 nm
?x
? nm
?x
200 nm
0.82x
160 nm
0.67x
? nm
?x
Pas de contacte de porta
210 nm
0.95x
? nm
?x
? nm
?x
180 nm
0.73
180 nm
0.75x
? nm
?x
Pas de connexió
0.570 µm²
0.57x
0.540 µm²
0.49 µm²
0.540 µm²
0.55x
0.499 µm²
0.50x
Cel·lula 1 bit de RAM
0.680 µm²
0.65 µm²
0.65x
0.49 µm²
0.676 µm²
0.54x
0.525 µm²
0.53x
? µm²
?x
Cel·lula 1 bit de DRAM
0.127 µm²
0.67x
0.189 µm²
0.69x