Arsenur d'alumini i indi
| Substància química | aliatge  |
|---|---|
| Estructura química | |
| Fórmula química | Alx In1−x As |
L'arsenur d'alumini i indi, o AlInAs (Alx In1−x As), és un material semiconductor amb gairebé la mateixa constant de gelosia que GaInAs, però amb un interval de banda més gran. La x de la fórmula anterior és un nombre entre 0 i 1; això indica un aliatge arbitrari entre InAs i AlAs.[1][2]
La fórmula AlInAs s'ha de considerar una forma abreujada de l'anterior, en lloc d'una relació particular.
L'arseniur d'alumini d'indi s'utilitza, per exemple, com a capa tampó en transistors HEMT metamòrfics, on serveix per ajustar les diferències constants de gelosia entre el substrat GaAs i el canal GaInAs. També es pot fer servir per formar capes alternes amb arsenur d'indi gal·li, que actuen com a pous quàntics. Aquestes estructures s'empren per exemple en làsers de cascada quàntica de banda ampla.[3]
La toxicologia d'AlInAs no s'ha investigat completament. La pols és irritant per a la pell, els ulls i els pulmons. Recentment, s'han informat en una revisió dels aspectes mediambientals, sanitaris i de seguretat de les fonts d'arseniur d'alumini i indi (com el trimetilindi i l'arsina) i els estudis de control d'higiene industrial de fonts MOVPE estàndard.[4]
Referències[modifica]
- ↑ Elements, American. «Indium Aluminum Arsenide» (en anglès). https://www.americanelements.com.+[Consulta: 8 abril 2023].
- ↑ Elements, American. «Indium Aluminum Arsenide Granule» (en anglès). https://www.americanelements.com.+[Consulta: 8 abril 2023].
- ↑ «Aluminum Indium Arsenide (AlInAs) Semiconductors» (en anglès). https://www.azom.com,+12-04-2013.+[Consulta: 8 abril 2023].
- ↑ Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors; D V Shenai-Khatkhate, R Goyette, R L DiCarlo and G Dripps, Journal of Crystal Growth, vol. 1-4, pp. 816-821 (2004); doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007