Fitxer:TyTunnelling.png

Fitxer original ‎(915 × 650 píxels, mida del fitxer: 23 Ko, tipus MIME: image/png)

Logo del projecte Wikimedia Commons

Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons.

Vegeu la pàgina original a Commons

DescripcióTyTunnelling.png	English: Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the bias voltage leading to a current flowing between the right and the left "electrode" (side of the barrier).
Data	Göteborg 1999
Font	Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308.
Autor	Torsten Henning

Aquest fitxer està disponible sota la llicència Creative Commons Reconeixement 2.5 Genèrica.

Sou lliure de:

Amb les condicions següents:

reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

	Data/hora	Miniatura	Dimensions	Usuari/a	Comentari
actual	17:34, 12 oct 2005		915 × 650 (23 Ko)	DrTorstenHenning	{{English}} Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the b

Les 2 pàgines següents utilitzen aquest fitxer:

Utilització d'aquest fitxer en altres wikis: