Transistor bipolar de porta aïllada

De Viquipèdia
(S'ha redirigit des de: Transistor IGBT)
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Fig.1 Símbol elèctric de l'IGBT

El transistor bipolar de porta aïllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'anglès Insulated Gate Bipolar Transistor)[1] és un transistor que combina les senzilles característiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturació dels transistors bipolars. Això s'aconsegueix ajuntant en un únic dispositiu una porta aïllada FET per al control amb un transistor bipolar de potència actuant en commutació.

Fig. 2 Estructura de l'IGBT

El transistor IGBT és una invenció recent. Els dispositius de primera generació que aparegueren el 1980 i principis dels anys 1990 eren relativament lents en commutació i tendien a fallar. Els dispositius de segona generació milloraren molt, però res comparat amb els actuals de tercera generació, què tenen una velocitat que hi rivalitza amb els MOSFETs, a més d'una excel·lent duresa i tolerància a sobrecàrregues. S'usa principalment en fonts d'alimentació commutades i en aplicacions de control de motors. Els avanços en la segona i tercera generació els feren útils en àrees com la física de partícules, on comencen a suplantar altres dispositius.

Comparativa IGBT i altres dispositius[modifica | modifica el codi]

Segons es pot trobar : [2]

Paràmetre Transistor

bipolar

Transistor

MOSFET

Transistor IGBT
Voltatge Alt <1kV Alt <1kV Molt alt >1kV
Corrent Alt <500A Alt > 500A Alt >500A
Senyal de control Corrent hFE

20-200

Voltatge VGS

3-10V

Voltatge VGE

4-8V

Impedència d'entrada Baixa Alta Alta
Impedància de sortida Baixa Mitja Baixa
Velocitat de commutació Lenta (µs) Ràpida (ns) Mitja
Cost Baix Mig Alt

Fabricants més importants d'IGBT[modifica | modifica el codi]

A 23/01/17: [3]

Vegeu també[modifica | modifica el codi]

Referències[modifica | modifica el codi]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor bipolar de porta aïllada Modifica l'enllaç a Wikidata
  1. «transistor IGBT». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia. [Consulta: 12 agost 2014].
  2. «Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT Transistor» (en en). Basic Electronics Tutorials, 26-08-2013.
  3. «Transistors - IGBTs - Single | DigiKey» (en en-us). [Consulta: 23 gener 2017].