Corrent de saturació
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/2a/Diode_current_wiki.png/328px-Diode_current_wiki.png)
El corrent de saturació (o corrent de saturació inversa), és aquella part del corrent invers en un díode semiconductor causada per la difusió de portadors minoritaris des de les regions neutres a la regió d'esgotament. Aquest corrent és gairebé independent de la tensió inversa.[1]
I S, el corrent de saturació de polarització inversa per a un díode p–n ideal, ve donada per:
on
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/ae/Diode_Law_Graph.jpg/318px-Diode_Law_Graph.jpg)
- e és la càrrega elemental.
- A és l'àrea de la secció transversal.
- D p, D n són els coeficients de difusió dels forats i dels electrons, respectivament,
- N D, N A són les concentracions de donant i acceptor al costat n i al costat p, respectivament,
- n i és la concentració intrínseca del portador en el material semiconductor,
- són els temps de vida dels portadors dels forats i dels electrons, respectivament.[2]
L'augment de la polarització inversa no permet que la majoria dels portadors de càrrega es difonguin per la unió. Tanmateix, aquest potencial ajuda a alguns transportistes de càrrega minoritaris a creuar la cruïlla. Com que els portadors de càrrega minoritaris a la regió n i la regió p es produeixen per parells d'electrons-forat generats tèrmicament, aquests portadors de càrrega minoritaris depenen extremadament de la temperatura i són independents de la tensió de polarització aplicada. La tensió de polarització aplicada actua com una tensió de polarització directa per a aquests portadors de càrrega minoritaris i un corrent de petita magnitud flueix al circuit extern en la direcció oposada a la del corrent convencional a causa del moment dels portadors de càrrega majoritaris.
Cal tenir en compte que el corrent de saturació no és una constant per a un dispositiu determinat; varia amb la temperatura; aquesta variància és el terme dominant en el coeficient de temperatura d'un díode. Una regla general comuna és que es duplica per cada 10 °C d'augment de la temperatura.[3]
Referències[modifica]
- ↑ Steadman, J. W.. «Electronics». A: R. C. Dorf. The Electrical Engineering Handbook (en anglès). CRC Press, 1993, p. 459. ISBN 0849301858.
- ↑ Schubert, E. Fred. «LED basics: Electrical properties». A: Light-Emitting Diodes (en anglès). Cambridge University Press, 2006, p. 61.
- ↑ Bogart, F. Theodore Jr.. Electronic Devices and Circuits (en anglès). Merill Publishing Company, 1986, p. 40.