Categoria:Semiconductors

• Materials semiconductors
• Semiconductor

2

• 2 nanòmetres

3

• 3 nanòmetres

A

• Acceptador (semiconductors)
• Agent dopant
• Antimonur d'alumini
• Apple A11
• Arquitectura MIPS
• Arquitectura XCore
• Arquitectura Xtensa
• Arseniur de cadmi
• Arsenur d'alumini
• Arsenur d'alumini de gal·li
• Arsenur d'indi
• Arsenur d'indi-gal·li
• Arsenur de gal·li
• Assaig d'oblies
• Aïllament de la unió p–n
• Aïllament de rases superficials

B

• Semiconductor de banda ampla
• Banda de conducció
• Banda de valència
• Banda prohibida
• Bandes prohibides directa i indirecta
• Broadcom Corporation
• BSIM

C

• Carbur de silici
• Cèl·lula estàndard
• Cèl·lula solar de seleniur de gal·li de coure
• Corrent de saturació

D

• Deposició física de vapor de feix d'electrons
• Design rule check
• Diac
• Dispositiu semiconductor
• Disseny de circuits integrats
• Diòxid d'estany
• Dopatge (semiconductors)
• Dopatge de modulació

E

• Electromigració
• Enllaç per termocompressió
• Enllaç termosònic
• Epitaxia de feix molecular
• ESP32
• ESP8266
• Espressif Systems
• Estructura MOS

F

• Fabless
• Fiabilitat (semiconductors)
• Fosfur d'indi
• Fosfur d'indi alumini gal·li
• Fosfur d'indi gal·li
• Fosfur de gal·li
• Fotolitografia (electrònica)
• Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica)
• Full custom

G

• GeForce
• Germani
• Gravat (microfabricació)
• Gravat amb plasma
• Gravat d'ions reactius
• Gravat en sec

H

• Heterounió
• Homounió

I

• Implantació iònica
• Indústria dels semiconductors
• Infineon Technologies
• Interconnexions (semiconductors)
• Interruptor unilateral de silici

J

• Junció PN

L

• Layout Versus Schematic
• Litografia de raigs X

M

• Semiconductors magnètics
• Metal·lització
• Micron Technology
• Mobilitat dels electrons
• Modes de fallada
• Monocapes de dicalcogenur de metalls de transició
• MOVPE
• Mètode Lely

N

• Nitrur de gal·li
• Nivell de sensibilitat a la humitat

O

• Oblia (electrònica)
• Semiconductor orgànic

P

• Usuari:Pdecaltoni/proves
• Planta de fabricació de semiconductors
• Porta autoalineada
• Preparació de dades de màscara
• Processador MPPA
• Procés Acheson
• Procés planar

R

• Reducció de la barrera induïda pel drenatge
• RISC-V
• Ruptura de l'òxid de la porta depenent del temps

S

• SBS
• Selenur de gal·li
• Selenur de gal·li d'indi coure
• Selenur de plom
• Semiconductor bidimensional
• Semiconductor extrínsec
• Semiconductor intrínsec
• Semiconductors de banda estreta
• Semiconductors polímers
• Signatura (electrònica)
• Silici cristal·lí
• Silici-estany
• Silici-germani
• SK hynix
• STM32

T

• Tel·lurur d'estany
• Tel·lurur de plom
• Telurur de mercuri cadmi
• Temperatura de la unió
• TFT
• TFT-LCD
• Tilera
• Transistor d'efecte de camp orgànic
• Triòxid de gal·li

U

• Unitat de procés de visió

V

• Vernís fotosensible

Z

• Zona de càrrega espacial