Categoria:Semiconductors

• Semiconductor

2

• 2 nanòmetres

3

• 3 nanòmetres

A

• Antimonur d'alumini
• Apple A11
• Arquitectura MIPS
• Arquitectura XCore
• Arquitectura Xtensa
• Arsenur d'alumini
• Arsenur d'indi-gal·li
• Arsenur de gal·li

B

• Banda de conducció
• Banda de valència
• Banda prohibida

C

• Carborúndum

D

• Diac
• Dispositiu semiconductor
• Dopatge (semiconductors)

E

• ESP32
• ESP8266
• Espressif Systems
• Estructura MOS

F

• Fabless
• Fotolitografia (electrònica)
• Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica)
• Full custom

G

• GeForce
• Germani

I

• Interruptor unilateral de silici

J

• Junció PN

L

• Litografia de raigs X

M

• Mobilitat dels electrons

N

• Nitrur de gal·li
• Nivell de sensibilitat a la humitat

O

• Oblia (electrònica)
• Semiconductor orgànic

P

• Planta de fabricació de semiconductors
• Processador MPPA
• Procés planar

R

• RISC-V

S

• SBS

T

• TFT
• TFT-LCD
• Tilera
• Transistor d'efecte de camp orgànic

U

• Unitat de procés de visió

Z

• Zona de càrrega espacial