Nitrur de gal·li

De Viquipèdia
Salta a la navegació Salta a la cerca
Aquest article tracta sobre el compost químic. Si cerqueu el mineral, vegeu «nitrur de gal·li (mineral)».
Infotaula de compost químicNitrur de gal·li
GaNcrystal.jpg
Modifica el valor a Wikidata
Substància químicacompost químic Modifica el valor a Wikidata

El nitrur de gal·li és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un semiconductor usat de forma comuna en diodes emissors de llum des de la dècadade 1990. És un compost molt dur que té l'estructura del cristall de Wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica,[1][2] en aparells d'alta energia i alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau.

La seva sensibilitat a la radiació ionitzant és baixa fent-lo un material adequat per a cèl·lules solars.[3] Pel fet que els transistors GaN poden funcionar a temperatures molt més altes i funcionar a voltatges més alts que els transistors d'arsenur de gal·li (GaAs) són ideals com amplificadors d'energia a freqüències de microones.

Síntesi[modifica]

Els cristalls de GaN poden créixer a partir d'una mescla fosa de Na/Ga sota pressió de 100 atm de N2 a 750 °C.

Seguretat[modifica]

La pols de GaN irrita la pell, els ulls i els pulmons.[4] El GaN sòlid no és tòxic i biocompatible,[5] i per tant es pot usar en electrodes i implants electrònics en organismes vius.

Referències[modifica]

  1. A. Di Carlo «Tuning Optical Properties of GaN‐Based Nanostructures by Charge Screening». Physica Status Solidi, 183, 1, 2001, pàg. 81-85. DOI: 10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
  2. Arakawa, Y. «Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications». IEEE, 8, 4, 2002, pàg. 823-832. DOI: 10.1109/JSTQE.2002.801675.
  3. Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon and Smalley, Ken. «Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress», març 2011.
  4. Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette Ronald L. Di Carlo Jr., Gregory Dripps «Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors». Journal of Crystal Growth, 272, 1–4, 2004, pàg. 816-821. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
  5. Shipman, Matt and Ivanisevic, Albena (24 October 2011). "Research Finds Gallium Nitride is Non-Toxic, Biocompatible – Holds Promise For Biomedical Implants". North Carolina State University

Enllaços externs[modifica]