Transistors de deflexió balística
Els transistors de deflexió balística (amb acrònim anglès BDT) són dispositius electrònics, desenvolupats des de l'any 2006,[1] per a circuits integrats d'alta velocitat, que és un conjunt de circuits sobre material semiconductor. Utilitzen forces electromagnètiques en lloc d'una porta lògica, un dispositiu que s'utilitza únicament per a les entrades especificades, per canviar les forces dels electrons. El disseny únic d'aquest transistor inclou electrons individuals que reboten d'obstacles en forma de falca anomenats deflectors.[2] Inicialment accelerats pel camp elèctric, els electrons són guiats pels seus respectius camins per deflexió electromagnètica. Per tant, els electrons són capaços de viatjar sense ser dispersats per àtoms o defectes, la qual cosa resulta en una velocitat millorada i un consum d'energia reduït.[3]
Un transistor de deflexió balística seria important per actuar tant com a amplificador lineal com com a interruptor per al flux de corrent en dispositius electrònics, que es podria utilitzar per mantenir la lògica i la memòria digitals. La velocitat de commutació d'un transistor es veu molt afectada per la rapidesa amb què els portadors de càrrega (normalment, els electrons) poden passar d'una regió a l'altra. Per aquest motiu, els investigadors volen utilitzar la conducció balística per millorar el temps de viatge del portador de càrrega.[4] Els transistors MOS convencionals també dissipen molta calor a causa de col·lisions inelàstiques d'electrons i han de canviar ràpidament per reduir els intervals de temps quan es genera calor, reduint la seva utilitat en circuits lineals.[5]
Referències[modifica]
- ↑ Quentin Diduck. A Terahertz Transistor Based on Geometrical Deflection of Ballistic Current (en anglès), 20 novembre 2006, p. 345–347. DOI 10.1109/MWSYM.2006.249522. ISBN 978-0-7803-9541-1.
- ↑ Sherwood, Jonathan. «Radical 'Ballistic Computing' Chip Bounces Electrons Like Billards» (en anglès). http://www.rochester.edu.+Arxivat de l'original el 24 febrer 2013. [Consulta: 17 agost 2006].
- ↑ Bell, Trudy E. IEEE Spectrum, 23, 2, febrer 1986, pàg. 36–38. Bibcode: 1986IEEES..23...36B. DOI: 10.1109/mspec.1986.6370997.
- ↑ Bell, Trudy E. IEEE Spectrum, 23, 2, febrer 1986, pàg. 36–38. Bibcode: 1986IEEES..23...36B. DOI: 10.1109/mspec.1986.6370997.
- ↑ Margala, M; Wu, H; Sobolewski, Roman «Ballistic deflection transistors and their application to THz amplification» (en anglès). Journal of Physics: Conference Series, 647, 13-10-2015, pàg. 012020. DOI: 10.1088/1742-6596/647/1/012020. ISSN: 1742-6588.