Usuari:Mcapdevila/Procés Czochralski

El procés o mètode de Czochralski consisteix en un procediment per a l'obtenció de lingots monocristall ins. Va ser desenvolupat per un científic polonès anomenat Jan Czochralski.

Aquest mètode és utilitzat per al'obtenció de silici monocristal mitjançant un vidre llavor dipositat per un bany de silici. És d'ampli ús en la indústria electrònica per obtenir wafers o hòsties , destinades a la fabricació de transistor és i circuits integrats .

El mètode consisteix a tenir un gresol que conté el semiconductor fos, per exemple germani. La temperatura es controla perquè estigui justament per sobre del punt de fusió i no comenci a solidificar-se. En el gresol s'introdueix una vareta que gira lentament i té en el seu extrem un petit monocristall del mateix semiconductor que actua com a llavor. Al contacte amb la superfície del semiconductor fos, aquest s'afegeix a la llavor, solidificant amb la seva xarxa cristal orientada de la mateixa manera que aquella, amb el que el monocristall creix. La vareta es va elevant i, penjant d'ella, es va formant un monocristall cilíndric. Finalment es separa el lingot de la vareta i passa a la fusió per zones per a purificar-lo.

El gruix del lingot depèn del control de temperatura i la velocitat de la vareta. Quan la temperatura puja, el mateix lingot es va fonent, però si baixa, es formen agregats que no són monocristalins.

Galeria Fotos

• 
  Explicació gràfica del procés
• 
  Cresols usats en el procés Czochralski
• 
  Cresols després de ser usats
• 
  Lingot de silici monocristal

Vegeu també

• Creixement epitaxial
• Fabricació de circuits integrats
• Fusió o refinat per zones
• Semiconductor

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Mcapdevila/Procés Czochralski