NVRAM: diferència entre les revisions
mCap resum de modificació |
Cap resum de modificació |
||
| Línia 1: | Línia 1: | ||
{{ |
{{FR|data=desembre de 2012}} |
||
[[Fitxer: DS1225.JPG|thumb|Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.]] |
[[Fitxer: DS1225.JPG|thumb|Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.]] |
||
La ''' |
La '''memòria d'accés aleatori no volàtil''', referida a vegades per les seves [[sigla|sigles]] en [[Idioma anglès|anglès]] '''NVRAM''' (''Non-volatile random access memory''), és un tipus de [[memòria d'accés aleatori]] que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada al aturar-se l'alimentació elèctrica. |
||
En els [[ |
En els [[router]]s s'utilitza per emmagatzemar un fitxer de configuració de seguretat (inici). |
||
Avui dia, la majoria de memòries NVRAM són [[memòria flash|memòries flash]] ja que són molt usades per [[telefonia mòbil|telèfons mòbils]] i reproductors portàtils d'àudio. |
Avui dia, la majoria de memòries NVRAM són [[memòria flash|memòries flash]] ja que són molt usades per [[telefonia mòbil|telèfons mòbils]] i reproductors portàtils d'àudio.{{CN}} |
||
La necessitat de mantenir les dades, fins i tot quan cessa |
La necessitat de mantenir les dades, fins i tot quan cessa l'[[corrent elèctric|alimentació]], va motivar el sorgiment de diversos tipus de [[memòria ROM]] reprogramables: elèctricament alterables - [[EAROM]], elèctricament esborrables - [[EEPROM]], programables i esborrables - [[PEROM]] i [[flash EEPROM]]. Cada nou tipus millora la facilitat de gravació i durada de les [[dada|dades]], però disten de poder utilitzar-se com a memòria [[RAM]]. |
||
Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura |
Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura existeixen dues estratègies diferents: |
||
La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les [[CMOS-RAM]]: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les [[pila de liti|piles de liti]] (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions. |
La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les [[CMOS-RAM]]: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les [[pila de liti|piles de liti]] (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions. |
||
La segona estratègia consisteix a superposar una RAM a una EEPROM, [[bit]] a bit. En funcionament normal les dades s'escriuen i llegeixen de la RAM, però davant un pols de "retenció", el contingut de la RAM passa a la EEPROM en paral·lel. Aquestes EEPROM poden mantenir les dades sense alimentació més de 10 anys, superant la vida de pila de liti. El pols de retenció el |
La segona estratègia consisteix a superposar una RAM a una EEPROM, [[bit]] a bit. En funcionament normal les dades s'escriuen i llegeixen de la RAM, però davant un pols de "retenció", el contingut de la RAM passa a la EEPROM en paral·lel. Aquestes EEPROM poden mantenir les dades sense alimentació més de 10 anys, superant la vida de la [[pila de liti]]. El pols de retenció el pot generar tant un monitor de tensió intern com un senyal generat externament. Aquestes memòries necessiten que l'alimentació s'extingeixi prou lentament com per permetre que es completi l'[[enregistrament]] de les dades. A la pràctica, els [[condensador elèctric|condensadors]] de l'alimentació són suficients. Quan l'alimentació torna al seu valor nominal, les dades passen de la EEPROM a la RAM. |
||
== Vegeu també == |
== Vegeu també == |
||
Revisió del 13:23, 31 des 2012
 |
Aquest article o secció no cita les fonts o necessita més referències per a la seva verificabilitat. |
La memòria d'accés aleatori no volàtil, referida a vegades per les seves sigles en anglès NVRAM (Non-volatile random access memory), és un tipus de memòria d'accés aleatori que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada al aturar-se l'alimentació elèctrica.
En els routers s'utilitza per emmagatzemar un fitxer de configuració de seguretat (inici).
Avui dia, la majoria de memòries NVRAM són memòries flash ja que són molt usades per telèfons mòbils i reproductors portàtils d'àudio.
La necessitat de mantenir les dades, fins i tot quan cessa l'alimentació, va motivar el sorgiment de diversos tipus de memòria ROM reprogramables: elèctricament alterables - EAROM, elèctricament esborrables - EEPROM, programables i esborrables - PEROM i flash EEPROM. Cada nou tipus millora la facilitat de gravació i durada de les dades, però disten de poder utilitzar-se com a memòria RAM.
Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura existeixen dues estratègies diferents:
La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les CMOS-RAM: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les piles de liti (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions.
La segona estratègia consisteix a superposar una RAM a una EEPROM, bit a bit. En funcionament normal les dades s'escriuen i llegeixen de la RAM, però davant un pols de "retenció", el contingut de la RAM passa a la EEPROM en paral·lel. Aquestes EEPROM poden mantenir les dades sense alimentació més de 10 anys, superant la vida de la pila de liti. El pols de retenció el pot generar tant un monitor de tensió intern com un senyal generat externament. Aquestes memòries necessiten que l'alimentació s'extingeixi prou lentament com per permetre que es completi l'enregistrament de les dades. A la pràctica, els condensadors de l'alimentació són suficients. Quan l'alimentació torna al seu valor nominal, les dades passen de la EEPROM a la RAM.