EEPROM

De Viquipèdia
Salta a la navegació Salta a la cerca
Fig.1 IC de memòria EEPROM o E2PROM

EEPROM o E²PROM, sigles de l'expressió anglesa electrically-erasable programmable read-only memory ("memòria ROM programable i esborrable elèctricament") és un tipus de memòria ROM que pot ser programada, esborrada i reprogramada elèctricament ౼a diferència de l'EPROM, que ha d'esborrar-se mitjançant un aparell que emet raigs ultraviolats౼. Són memòries no volàtils. Les cel·les de memòria d'una EEPROM estan constituïdes per un transistor MOS, que té una comporta flotant (estructura SAMOS), el seu estat normal aquesta tallat i la sortida proporciona un lògic. Encara que una EEPROM pot ser llegida un nombre il·limitat de vegades, "només" pot ser esborrada i reprogramada entre cent mil i un milió de vegades. Aquests dispositius solen comunicar-se mitjançant protocols com I²C, SPI i Microwire. En altres ocasions, s'integra dins de xips com microcontrolador és i DSPs per aconseguir una major rapidesa. La memòria flaix és una forma avançada d'EEPROM, creada pel Dr. Fujio Masuoka mentre treballava per Toshiba el 1984 i presentada a la Reunió d'Aparells Electrònics de la IEEE d'aquell mateix any. Intel va veure el potencial de la invenció, i el 1988 va llançar el primer xip comercial de tipus NOR.[1][2][3]

Fundament teòric de l'estructura FLOTOX[modifica]

Les memòries EEPROM antigues estan basades en un hot-carrier injection (HCI) basat en el desglossament d'allaus (avalanche breakdown) amb una alta tensió de ruptura inversa. D'altra banda tenim el que es coneix com FLOTOX: una estructura publicada publicada l'any 1980 i dissenyada per l'equip d'Intel que consistia en un Intel 2816 de 16K bits amb una fina capa de diòxid de silici. EL fundament del FLOTOX és una unió tunel.[4]

Aquesta nova estructura d'Intel va augmentar la fiabilitat de l'EEPROM, ja que va millorar la resistència dels cicles d'escriptura i esborrament i el període de retenció de dades.[5]

Estructura actual de l'EEPROM[modifica]

Avui dia, l'EEPROM és emprat en microcontroladors incrustats i en productes amb una memòria EEPROM estàndard. l'EPPROM encara requereix una estructura amb 2 transistors per bit per eliminar un byte dedicat en la memòria, mentre que la memòria flaix té un transistor per bit per eliminar una regió de memòria.[6]

Principals fabricants d'EEPROM[modifica]

Fabricants destacats a 23/01/2017:[7]

Vegeu també[modifica]

  • PROM
  • EAROM
  • nano-RAM : RAM amb nanotubs de carboni.
  • SRAM : RAM estàtica.
  • Flaix : memòria flaix.
  • ReRAM : memòria RAM resistiva.
  • FeRAM : memòria ferromagnètica.
  • MRAM : memòria RAM magnetorresistiva

Enllaços externs[modifica]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: EEPROM

Referències[modifica]

  1. «What is EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory)? - Definition from WhatIs.com» (en anglès). WhatIs.com.
  2. «What is EEPROM? Webopedia Definition» (en anglès). [Consulta: 23 gener 2017].
  3. «What is EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)?» (en anglès). http://www.computerhope.com/.
  4. Gutmann, Peter «Data Remanence in Semiconductor Devices». 10th USENIX SECURITY SYMPOSIUM. IBM T.J.Watson Research Center, 15-08-2001, pàg. 39Plantilla:Endash54.
  5. ; Tran, V.; George, J.; Crawford, K.; Crain, S.«SEE Sensitivities of Selected Advanced Flash and First-In-First-Out Memories». The Aerospace Corporation. Arxivat de l'original el 2018-03-14.
  6. Skorobogatov, Sergei (2017). "How Microprobing Can Attack Encrypted Memory" a 2017 Euromicro Conference on Digital System Design (DSD). : 244–251. DOI:10.1109/DSD.2017.69 
  7. «eeprom memory EEPROM | Mouser España» (en castellà). [Consulta: 23 gener 2017].