EEPROM

De Viquipèdia
Salta a: navegació, cerca
Fig.1 IC de memòria EEPROM o E2PROM

EEPROM o E²PROM, sigles de l'expressió anglesa electrically-erasable programmable read-only memory ("memòria ROM programable i esborrable elèctricament") és un tipus de memòria ROM que pot ser programada, esborrada i reprogramada elèctricament ౼a diferència de l'EPROM, que ha d'esborrar-se mitjançant un aparell que emet raigs ultraviolats౼. Són memòries no volàtils. Les cel·les de memòria d'una EEPROM estan constituïdes per un transistor MOS, que té una comporta flotant (estructura SAMOS), el seu estat normal aquesta tallat i la sortida proporciona un lògic. Encara que una EEPROM pot ser llegida un nombre il·limitat de vegades, "només" pot ser esborrada i reprogramada entre cent mil i un milió de vegades. Aquests dispositius solen comunicar-se mitjançant protocols com I²C, SPI i Microwire. En altres ocasions, s'integra dins de xips com microcontrolador és i DSPs per aconseguir una major rapidesa. La memòria flaix és una forma avançada d'EEPROM, creada pel Dr. Fujio Masuoka mentre treballava per Toshiba el 1984 i presentada a la Reunió d'Aparells Electrònics de la IEEE d'aquell mateix any. Intel va veure el potencial de la invenció, i el 1988 va llançar el primer xip comercial de tipus NOR.[1][2][3]

Principals fabricants d'EEPROM[modifica]

Fabricants destacats a 23/01/2017:[4]

Vegeu també[modifica]

  • PROM
  • EAROM
  • nano-RAM : RAM amb nanotubs de carboni.
  • SRAM : RAM estàtica.
  • Flaix : memòria flaix.
  • ReRAM : memòria RAM resistiva.
  • FeRAM : memòria ferromagnètica.
  • MRAM : memòria RAM magnetorresistiva

Enllaços externs[modifica]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: EEPROM Modifica l'enllaç a Wikidata

Referències[modifica]