Lògica nMOS: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m r2.7.3) (Robot afegeix: ru:N-МОП |
m Corregint paràmetres en ref-llibre |
||
| Línia 1: | Línia 1: | ||
La '''lògica nMOS''' ('''n'''FET '''M'''etall '''O'''xide '''S'''ilicon) usa [[transistor]]es d'efecte de camp ('''FET''') de metal-òxid-semiconductor ('''MOS''') tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.<ref>{{ |
La '''lògica nMOS''' ('''n'''FET '''M'''etall '''O'''xide '''S'''ilicon) usa [[transistor]]es d'efecte de camp ('''FET''') de metal-òxid-semiconductor ('''MOS''') tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.<ref>{{citar llibre|url=http://books.google.cat/books?id=2tK9aCzV3zEC&pg=PA79&lpg=PA79&dq=l%C3%B2gica+nMOS&source=web&ots=7zAM-y8Hw4&sig=YD2PAK2RQtmlqNtv4P1-oBqDuoA&hl=ca&sa=X&oi=book_result&resnum=4&ct=result#PPA77,M1|títol=Fonaments d'electrònica digital (p. 77)|autor=Raúl Esteve Bosch, José Francisco Toledo Alarcón|editorial=Ed. Univ. Politéc. Valencia|any=2005}}</ref> Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu). |
||
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la [[porta lògica]] i la [[voltatge]] d'alimentació negativa, mentre una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]] és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida. |
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la [[porta lògica]] i la [[voltatge]] d'alimentació negativa, mentre una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]] és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida. |
||
Revisió del 18:54, 22 feb 2013
La lògica nMOS (nFET Metall Oxide Silicon) usa transistores d'efecte de camp (FET) de metal-òxid-semiconductor (MOS) tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.[1] Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu).
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació negativa, mentre una resistència és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.
Referències
- ↑ Raúl Esteve Bosch, José Francisco Toledo Alarcón. Fonaments d'electrònica digital (p. 77). Ed. Univ. Politéc. Valencia, 2005.
