Lògica nMOS

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca

La lògica nMOS (nFET Metall Oxide Silicon) usa transistores d'efecte de camp (FET) de metal-òxid-semiconductor (MOS) tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.[1] Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu).

Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació negativa, mentre una resistència és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. Raúl Esteve Bosch, José Francisco Toledo Alarcón. Fonaments d'electrònica digital (p. 77). Ed. Univ. Politéc. Valencia, 2005. 

Vegeu també[modifica | modifica el codi]

Enllaços externs[modifica | modifica el codi]