Portador de càrrega: diferència entre les revisions
retocs diversos Etiqueta: editor de codi 2017 |
|||
Línia 1: | Línia 1: | ||
'' |
'''Portador de càrrega''' denota en [[física]] una [[partícula lliure]] (mòbil i no enllaçada) portadora d'una [[càrrega elèctrica]]. Com a exemple els [[electró | electrons]] i els [[ió]] és. En la física de [[semiconductor]] és, els [[buit d'electró | buits]] produïts per falta d'electrons són tractats com a portadors de càrrega.<ref>{{cite book|title=Solid State Physics|author=Ashcroft, Mermin|page=4}}</ref> |
||
En solucions iòniques, els portadors de càrrega són els [[catió | cations]] i [[anió | anions]] dissolts. De forma similar, els cations i anions dels líquids dissociats serveixen com a portadors de càrrega en líquids i en sòlids iònics fosos.<ref>{{cite journal|title=Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing|author=Pietro P. Altermatt, Andreas Schenk, Frank Geelhaar,Gernot Heiser|journal=Journal of Applied Physics|volume=93|issue=3|page=1598|year=2003|doi=10.1063/1.1529297}}</ref> |
En solucions iòniques, els portadors de càrrega són els [[catió | cations]] i [[anió | anions]] dissolts. De forma similar, els cations i anions dels líquids dissociats serveixen com a portadors de càrrega en líquids i en sòlids iònics fosos.<ref>{{cite journal|title=Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing|author=Pietro P. Altermatt, Andreas Schenk, Frank Geelhaar,Gernot Heiser|journal=Journal of Applied Physics|volume=93|issue=3|page=1598|year=2003|doi=10.1063/1.1529297}}</ref> |
||
Línia 6: | Línia 6: | ||
== Referències == |
== Referències == |
||
{{Referències |
{{Referències}} |
||
⚫ | |||
⚫ | |||
* [[Cèl·lula solar]] |
* [[Cèl·lula solar]] |
||
* [[Díode làser]] |
* [[Díode làser]] |
Revisió del 20:15, 22 set 2019
Portador de càrrega denota en física una partícula lliure (mòbil i no enllaçada) portadora d'una càrrega elèctrica. Com a exemple els electrons i els ió és. En la física de semiconductor és, els buits produïts per falta d'electrons són tractats com a portadors de càrrega.[1]
En solucions iòniques, els portadors de càrrega són els cations i anions dissolts. De forma similar, els cations i anions dels líquids dissociats serveixen com a portadors de càrrega en líquids i en sòlids iònics fosos.[2]
Al plasma, així com en el arc elèctric, els electrons i cations del gas ionitzat i del material vaporitzat dels elèctrodes actuen com a portadors de càrrega.En el buit, en un arc elèctric o en un tub de buit, els electrons lliures actuen com a portadors de càrrega.[3][4]
Referències
- ↑ Ashcroft, Mermin. Solid State Physics, p. 4.
- ↑ Pietro P. Altermatt, Andreas Schenk, Frank Geelhaar,Gernot Heiser «Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing». Journal of Applied Physics, vol. 93, 3, 2003, pàg. 1598. DOI: 10.1063/1.1529297.
- ↑ O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz. «Germanium (Ge), intrinsic carrier concentration». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–3 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_503. ISBN 978-3-540-42876-3.
- ↑ Rössler, U. «Gallium arsenide (GaAs), intrinsic carrier concentration, electrical and thermal conductivity». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–8 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_196. ISBN 978-3-540-42876-3.