Model EKV

El model EKV és un model matemàtic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) d'efecte camp. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar el disseny de circuits analògics.^[1]

Història[modifica]

Va ser desenvolupat originalment per C. C. Enz, F. Krummenacher, i E. A. Vittoz (d'aquí surt el nom EKV) devers 1995, usant com a punt de partida treballs anteriors fets durant la dècada de 1980.^[2] ^[3] ^[4] Com a contraposició a models més simples (com el model quadràtic), el model EKV és precís inclús quan el MOSFET opera en la regió subllindar (és a dir, si $V_{bulk}=V_{source}$ aleshores el MOSFET està en la regió subllindar si $V_{gate-source}<V_{Threshold}$ ). A més, el model incorpora molts altres efectes que sorgeixen en les tecnologies de fabricació submicrònicas. Com a avantatge enfront d'altres models com el BSIM, podem citar el seu reduït nombre de paràmetres, i que permet càlculs manuals.

Referències[modifica]

↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE, February 1982
↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983

Vegeu també[modifica]

Enllaços externs[modifica]

Web Page de Christian Enz
Web Page de François Krummenacher Arxivat 2008-10-03 a Wayback Machine.
Sobre Eric Vittoz
Web Page del Model EKV a la EPFL
ORIGINS OF THE EKV MODEL; EKV Users' Meeting/Workshop; November 4-5, 2004; EPFL in Lausanne
Swiss Origins of Very Low-Power Integrated Circuits (1962-1982) Gala Special Talk, ESSDERC-ESSCIRC'06, Montreux, Switzerland

[1] Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995

[2] Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987

[3] Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE, February 1982

[4] Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983

[1]

[2]

[3]

[4]