Vés al contingut

65 nanòmetres

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Fig.1 Exemple de tecnologia de 65 nm : Texas Instruments OMAP
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1989
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2020

65 nanòmetres (65 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 65 nm. És una millora de la tecnologia de 90 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 100 àtoms de largada.[1][2]

Història

[modifica]

El 2007, Intel, AMD, IBM, UMC, Chartered i TMSC produeixen circuits integrtas amb tecnologia 65 nm.

Tecnologia emprada

[modifica]
  • Tensió del nucli : 1.0V
  • Gruixos de porta de transistor tant petit com 1,2nm.
  • Materials dielèctrics de low-k (k=2,25) per a reduir les capacitats paràsites entre transistors.
  • Materials dielèctrics de high-k per a augmentar la capacitat de porta dels transistors.

Processadors

[modifica]
icant Data CPU Notes
Intel 2006 Pentium 4, D
Intel 2006 Celeron D
Intel 2006 Core, 2
Intel 2006 Xeon
AMD 2007 Athlon 64
AMD 2007 Turion 64 X2
AMD 2007 Phenom
IBM 2007 Cell, z10
Microsoft 2008 Falcon, Opus, Jasper
Sun 2007 UltraSPARC T2
AMD 2008 Turion Ultra
TI 2008 OMAP 3

[3]

Fabricant Intel IBM / Toshiba / Sony / AMD TI IBM / Chartered / Infineon / Samsung TSMC Fujitsu
Nom del procés P1264 CS-200/CS-201/CS-250
Primera producció 2005 2005 2007 2005 2005 2006
Tipus 300mm
Oblia 8 10 11 10 11
Capes de Metal Value 90 nm Δ Value 90 nm Δ Value 90 nm Δ Value 90 nm Δ Value 90 nm Δ Value 90 nmΔ
  220 nm 0.85x 250 nm  ?x  ? nm  ?x 200 nm 0.82x 160 nm 0.67x  ? nm  ?x
Pas de contacte de porta 210 nm 0.95x  ? nm  ?x  ? nm  ?x 180 nm 0.73 180 nm 0.75x  ? nm  ?x
Pas de connexió 0.570 µm² 0.57x 0.540 µm² 0.49 µm² 0.540 µm² 0.55x 0.499 µm² 0.50x
Cel·lula 1 bit de RAM 0.680 µm² 0.65 µm² 0.65x 0.49 µm² 0.676 µm² 0.54x 0.525 µm² 0.53x  ? µm²  ?x
Cel·lula 1 bit de DRAM 0.127 µm² 0.67x 0.189 µm² 0.69x

Vegeu també

[modifica]

Referències

[modifica]
  1. «65 Nanometer» (en anglès). www.umc.com. Arxivat de l'original el 2019-08-19. [Consulta: 18 març 2017].
  2. «Intel Drives Moore's Law Forward With 65 Nanometer Process Technology» (en anglès). www.intel.com. [Consulta: 18 març 2017].
  3. «65 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 18 març 2017].