Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions
m neteja i estandardització de codi |
Cap resum de modificació |
||
| Línia 1: | Línia 1: | ||
[[Fitxer:P45N02LD.jpg|miniatura|Transistor d'efecte camp "N-channel"]] |
[[Fitxer:P45N02LD.jpg|miniatura|Transistor d'efecte camp "N-channel"]] |
||
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en [[anglès]]) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la [[Conductivitat elèctrica|conductivitat]] d'un "canal" en un material [[semiconductor]].<ref>{{Ref-web|títol=What is a FET - Field Effect Transistor » Electronics Notes|url=https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/fet-field-effect-transistor/what-is-a-fet-types-overview.php|consulta=2019-05-07}}</ref> Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com a [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]]. |
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en [[anglès]]) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la [[Conductivitat elèctrica|conductivitat]] d'un "canal" en un material [[semiconductor]].<ref>{{Ref-web|títol=What is a FET - Field Effect Transistor » Electronics Notes|url=https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/fet-field-effect-transistor/what-is-a-fet-types-overview.php|consulta=2019-05-07}}</ref> Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com a [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]].<ref>{{Ref-web|títol=Transistors d'efecte de camp: tipus, dispositiu, principi i maneres de funcionament, circuits de commutació, paràmetres bàsics, ús|url=https://eandc.ru/news/detail.php?ID=27664|consulta=}}</ref> |
||
La majoria dels FET estan fets usant les [[fabricació de dispositius semiconductors|tècniques de processament de semiconductors]] habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels [[TFT]]s (''thin-film transistors'', o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es [[deposició de vapor químic|diposita]] sobre un substrat (usualment [[vidre]], ja que la principal aplicació dels TFTs és les [[pantalla de cristall líquid|pantalles de cristall líquid]] o LCDs). |
La majoria dels FET estan fets usant les [[fabricació de dispositius semiconductors|tècniques de processament de semiconductors]] habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels [[TFT]]s (''thin-film transistors'', o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es [[deposició de vapor químic|diposita]] sobre un substrat (usualment [[vidre]], ja que la principal aplicació dels TFTs és les [[pantalla de cristall líquid|pantalles de cristall líquid]] o LCDs). |
||
Revisió del 16:20, 2 feb 2022
El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor.[1] Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge.[2]
La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es diposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs).
Tipus de transistors d'efecte camp
Podem classificar els transistors d'efecte camp segons el mètode d'aïllament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aïllant (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unió p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), també anomenat HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
La característica dels TFT que els distingeix, és que fan ús del silici amorf o del silici policristal·lí.
Referències
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor d'efecte camp |