Epitàxia

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Rútil epitaxial en hematites.

L'epitàxia o creixement epitaxial és un dels processos en la fabricació de circuits integrats. A partir d'una cara d'un cristall de material semiconductor, o substrat, es fa créixer una capa uniforme i de poc gruix amb la mateixa estructura cristal·lina que aquest. Mitjançant aquesta tècnica es pot controlar de forma molt precisa el nivell d'impureses en el semiconductor, que són els que defineixen el seu caràcter (N o P). Per fer això s'escalfa el semiconductor fins a gairebé el seu punt de fusió i es posa en contacte amb el material de base perquè, en refredar-se, recristal·litzi amb l'estructura adequada.

Hi ha diversos mètodes:

  • Creixement epitaxial en fase vapor (VPE).
  • Creixement epitaxial en fase líquida (LPE).
  • Creixement epitaxial per feixos moleculars (MBE).
  • Química metal-orgàniques per deposició de vapor (MOCVD)

Mineralogia[modifica | modifica el codi]

En mineralogia, epitàxia és el sobrecreixement d'un mineral a sobre d'un altre d'una manera ordenada, de manera que els seus eixos cristal·logràfics i, de vegades, els òptics, són compartits. Això passa quan alguns plans en les xarxes cristal·lines dels sobrecreixements i el substrat tenen separacions similars entre els àtoms.[1]

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. Rakovan, John (2006) Rocks & Minerals 81:317 to 320

Vegeu també[modifica | modifica el codi]