Díode túnel: diferència entre les revisions
m robot estandarditzant mida de les imatges, localitzant i simplificant codi |
m retocs |
||
| Línia 1: | Línia 1: | ||
El '''díode túnel''' és un [[díode]] [[semiconductor]] que té una [[unió PN]], en la qual es produeix l'[[efecte túnel]] que dóna origen a una [[conductància]] diferencial negativa en un cert interval de la característica [[Intensitat de corrent elèctric|corrent]] - [[voltatge|tensió]].<ref |
El '''díode túnel''' és un [[díode]] [[semiconductor]] que té una [[unió PN]], en la qual es produeix l'[[efecte túnel]] que dóna origen a una [[conductància]] diferencial negativa en un cert interval de la característica [[Intensitat de corrent elèctric|corrent]] - [[voltatge|tensió]].<ref>{{Ref-llibre|títol=Emerging memories : technologies and trends|url=https://www.worldcat.org/oclc/51927148|editorial=Kluwer Academic Publishers|data=2002|lloc=Norwell, Mass.|isbn=0-306-47553-7|cognom=Prince|nom=Betty|edició=|llengua=anglès|pàgines=191 ss}}</ref> |
||
[[Fitxer:GE 1N3716 tunnel diode.jpg|miniatura|Díode túnel 1N3716 (vs. [[jumper]])]] |
[[Fitxer:GE 1N3716 tunnel diode.jpg|miniatura|Díode túnel 1N3716 (vs. [[jumper]])]] |
||
[[Fitxer:Diode-tunnel-EN.svg|miniatura|esquerra|Símbol del Díode túnel<br />''A'': [[ànode]]; ''C'': [[càtode]]]] |
[[Fitxer:Diode-tunnel-EN.svg|miniatura|esquerra|Símbol del Díode túnel<br />''A'': [[ànode]]; ''C'': [[càtode]]]] |
||
La presència del tram de [[Resistència elèctrica (propietat)|resistència]] negativa permet la seva utilització com a component actiu ([[Amplificador electrònic|amplificador]]/[[oscil·lador]]). També es coneixen com a '''díodes Esaki''', en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que |
La presència del tram de [[Resistència elèctrica (propietat)|resistència]] negativa permet la seva utilització com a component actiu ([[Amplificador electrònic|amplificador]]/[[oscil·lador]]). També es coneixen com a '''díodes Esaki''',<ref>{{TERMCAT}}</ref> en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que impliquen microones i que estan relativament lliures dels efectes de la radiació. |
||
== Vegeu també == |
== Vegeu també == |
||
Revisió del 19:33, 31 març 2020
El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dóna origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió.[1]
A: ànode; C: càtode
La presència del tram de resistència negativa permet la seva utilització com a component actiu (amplificador/oscil·lador). També es coneixen com a díodes Esaki,[2] en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que impliquen microones i que estan relativament lliures dels efectes de la radiació.
Vegeu també
Referències
- ↑ Prince, Betty. Emerging memories : technologies and trends (en anglès). Norwell, Mass.: Kluwer Academic Publishers, 2002, p. 191 ss. ISBN 0-306-47553-7.
- ↑ «Díode túnel». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia.
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Díode túnel |