Memristor

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Exemple de corba d'histèresi torçada (girada en la zona negativa),Intensitat en relació a Voltatge
Simetria conceptual entre resistència, condensador, inductor, i memristor.
Una matriu de 17 memristors de diòxid de titani empobrit amb oxigen.

Un memristor , en teoria de circuits elèctrics, és un component passiu amb una relació Voltatge/Intensitat que descriu una corba d'histèresi torçada com la mostrada a la imatge, que indica un comportament diferent segons l'evolució precedent de la càrrega (comportament memorístic).

A mesura que la càrrega flueix en una direcció la resistència augmenta, i quan flueix en la direcció contrària la resistència disminueix.[1]

Funcionament[modifica | modifica el codi]

El memristor es descriu a partir de la relació de les dues variables electromagnètiques no relacionades directament per components passius anteriors, el flux \phi, pres com a integral de la tensió (Voltatge) en un interval de temps, amb la càrrega, integral del corrent (Intensitat elèctrica).

Ha estat descrit com el quart element dels circuits passius, Juntament amb els tres més ben coneguts: el condensador, la resistència i l'inductor.[2] El nom és una paraula composta de memory resistor (resistència amb memòria).

Un memristor efectivament emmagatzema informació perquè el nivell de la seva resistència elèctrica canvia quan en fer circular un corrent, segons el sentit, tendeix a embussar-se o a desembussar-se. On una resistència típica proporciona un nivell estable de resistència, un memristor pot tenir o bé un nivell de resistència alt, que pot ser interpretat en un ordinador en termes de dades com un "1", o bé un nivell de resistència baix, que pot ser interpretat com un "0". Així, controlant el corrent, les dades poden ser guardades i reescrites. En un sentit, un memristor és una resistència variable que, amb la seva resistència, reflecteix la seva pròpia història segons la particular corba d'histèresi.

El memristor va ser predit i descrit el 1971 per Leon Chua, de la Universitat de Califòrnia, Berkeley, en un article que va aparèixer a l' IEEE Transactions on Circuit Theory .[3]

Durant 37 anys, el memristor va ser un dispositiu hipotètic, sense exemples físics. L'abril de 2008, una implementació física del memristor va ser divulgada a Nature per un equip d'investigadors de HP Labs.[4][5][6] de la multinacional Hewlett Packard

Tipus[modifica | modifica el codi]

Cèl·lula electroquímica[modifica | modifica el codi]

El memristor va ser usat per caracteritzar el comportament de cèl·lules electroquímiques.[7]

Estat sòlid[modifica | modifica el codi]

L'interès en el memristor es va revifar el 2007 quan Stanley Williams[8] de Hewlett Packard va informar[9][10] d'una versió experimental d'estat sòlid. No s'ha pogut construir un dispositiu d'estat sòlid fins que ho ha fet possible el comportament inusual dels materials d'escala nanomètrica. Hewlett-Packard n'ha fet un prototip d'un circuit de fils creuats amb interruptors als encreuaments (crossbar latch)[11] utilitzant dispositius on poden cabre 100 gigabits en un centímetre quadrat.[12] Per comparació, les memòries flash de més alta densitat emmagatzemen 16 Gbits a la mateixa àrea. La resistència dels dispositius seria llegida amb corrent altern de manera que no afectin el valor emmagatzemat.[13]

Samsung ha fet una sol·licitud de patent als Estats Units per a un memristor similar al descrit per Williams. Així que és qüestionable si el grup de Williams ha estat el primer autor d'aquesta estructura.[14]

Aplicacions potencials[modifica | modifica el codi]

Els memristors d'estat sòlid de Williams es poden combinar per formar transistors, encara que són molt més petits. També es poden utilitzar com a memòria d'estat sòlid no volàtil, que permetria una major densitat de dades que els discs durs amb temps d'accés similars a la DRAM, substituint tots dos components.[15] A més, com que és un dispositiu analògic, només millorant el dispositiu de control del memristor, podria emmagatzemar, en el mateix espai, octets o cadenes d'octets en comptes de bits. Això ofereix un futur molt prometedor a llarg termini.

Algunes patents relacionades amb els memristors semblen incloure aplicacions de lògica programable ,[16] processament de senyals,[17] xarxes neuronals,[18] i sistemes de control.[19][20]

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. Memristor - Presentació (anglès)
  2. Tour, James M; He, Tao. Electronics: The fourth element. DOI 10.1038/453042a. 
  3. Chua, Leon O (Set 1971), "memristor-The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory CT-18 (5): 507-519, <http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1083337>
  4. Strukov, Dmitri B; Snider, Gregory S & Stewart, Duncan R et al., The missing memristor web, <http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=207403521>
  5. Marks, Paul. Engineers find 'missing link' of electronics. New Scientist, 30 d'abril de 2008 [Consulta: 2008.04.30]. 
  6. «Researchers Prove Existence of New Basic Element for Electronic Circuits - memristor '». Physorg.com, 30 d'abril de 2008. [Consulta: 30 d'abril de 2008].
  7. Chen WK (ed.), The Circuits and Filters Handbook, 2nd ed , CRC Press 2003, ISBN 0-8493-0912 - 3. Chapter 12, "Circuit Elements, Modeling, and Equation Formulation"
  8. R. Stanley Williams, HP biography
  9. Fildes, Jonathan. Getting More from Moore 's Law. BBC, 2007 [Consulta: 30 d'abril de 2008]. 
  10. Bulletin for Electrical and Electronic Engineers of Oregon (PDF). Institute of Electrical and Electronics Engineers, setembre 2007 [Consulta: 30 d'abril de 2008]. 
  11. Crossbar latch(anglès)
  12. EETimes.com - 'Missing link' memristor created: Rewrite the textbooks?
  13. Maintaining Moore 's law with new memristor circuits
  14. US Patent Application 11/655, 193
  15. Kanellos, Michael. HP makes memory from a once Theoretical circuit. CNET News.com, 30 d'abril de 2008 [Consulta: 2008.04.30]. 
  16. U.S. Patent 7.203.789
  17. U.S. Patent 7.302.513
  18. U.S. Patent 7.359.888
  19. U.S. Patent Application 11/976, 927
  20. Memristor, Memcapacitor and Meminductor Research Update [Consulta: 3 febrer 2012]. 

Enllaços externs[modifica | modifica el codi]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Memristor Modifica l'enllaç a Wikidata