Transistor bipolar

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Símbol per als BJT de tipus PNP i NPN.

Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o conmutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent.

Conceptualment, hom pot entendre un transistor bipolar com a dos díodes col·locats de forma oposada. En estat normal, la unió emissor-base està polaritzada en directa i la unió base-col·lector està polaritzada en inversa. En un transitor de tipus NPN, per exemple, els electrons de l'emissor s'escampen (o es difonen) a la base. Aquests electrons en la base estan en minoria (hi ha una gran quantitat de forats electrònics) amb els que recombinar-se. La base sempre es fa prou fina perquè la majoria d'electrons es difonguen pel col·lector abans que es recombinen amb els forats. La unió col·lector-base està polaritzada en inversa per a evitar el flux de forats, però els electrons es troben amb un camí més fàcil: són escombrats cap al col·lector pel camp elèctric que envolta la unió. La proporció d'electrons capaços de evitar "l'aspiració" de la base i arribar al col·lector és molt sensible al corrent que passa a través de la base. D'ací que un mínim canvi en el corrent de la base puga convertir-se en un gran canvi en el flux d'electrons entre l'emissor i el col·lector. Per exemple el radi d'aquests corrents (Ic÷Ib normalment anomenada β) en alguns transistors bipolars és de 100 o més.

Estructura i us d'un transistor NPN

El diagrama que s'acompanya és una representació esquemàtica d'un transistor NPN conectat amb dos fonts de voltatge. Per fer que el transistor condueixca un corrent de C a E, s'aplica un voltatge menut (al voltant dels 0,7 volts) en la unió base-emissor. Aquest voltatge s'anomena V_{BE}. Açò fa que la unió p-n superior condueixca, permetent que un corrent major I_C flueixca al col·lector. El corrent total que flueix cap a dins del transistor serà per tant el corrent base I_B més el corrent del col·lector I_C. El corrent total que ix és simplement el corrent de l'emissor, I_E. Així com en tots els dispositius elèctrics, el corrent que hi entra deu ser igual al que ix, d'ací que:

I_E = I_B + I_C
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Transistor bipolar Modifica l'enllaç a Wikidata