Usuari:Mcapdevila/Nanolitografia
La nanolitografia és una litografia a l'escala del nanòmetre. Consisteix en la fabricació de microestructures amb una mida d'escala que ronda els nanòmetres. Això implica l'existència de patrons litografiats en què, com a mínim, una de les seves dimensions longitudinals és de la mida d'àtoms individuals i aproximadament de l'ordre de 10 nm. La nanolitografia s'usa durant la fabricació de circuits integrats de semiconductors o sistemes nanoelectromecànics, coneguts com a Nanoelectromechanical Systems o NEMS.
Litografia òptica[modifica]
La litografia òptica, que ha estat la tècnica predominant en l'ús de patrons des del començament de l'era dels semiconductors, és capaç de produir patrons lleugerament per sota dels 100 nm, amb longituds d'ona molt curtes (uns 193 nm de manera usual). Aquest tipus de litografia requereix l'ús d'immersió líquida i una multitud de millores en la tecnologia de fotomàscara (tecnologia PSM) a més de correcció òptica per proximitat ( Optical Proximity Correction o OPC) per arribar a detalls de l'ordre de 32 nm. Hi ha un sentiment general, entre els experts, en el qual s'afirma que baixar a uns nivells de 30 nm mitjançant la litografia òptica, no serà comercialment viable. En aquest punt, aquesta tècnica haurà de ser reemplaçada per una nova generació de litografia ( Next Generation lithography o NGL).
Altres tècniques nanolitogràfiques[modifica]
La més corrent de les tècniques nanolitogràfiques és la litografia d'escriptura directa per feixos de electrons ( Electron Beam Direct Write lithography o EBDW). En aquesta tècnica, l'ús d'un feix d'electrons imprimeix un patró, usualment sobre una resina de polímer tal com PMMA.
La litografia de l'ultraviolat extrem ( Extreme Ultraviolet lithography o EUV) és una varietat de litografia òptica que usa longituds d'ona molt curta, de l'ordre de 13,5 nm. És la que s'anomena normalment com tècnica NGL.
La litografia per partícules carregades, com ara litografies per ions o projeccions d'electrons (PREVAIL, SCALPEL, LEEPL). Aquestes tècniques són capaces de produir patrons de molt alta resolució.
La litografia de nanoimpressió ( Nanoimprint lithography o NIL) i les seves variants, com ara la litografia d'impressió per passos com LISA i ladí. Aquestes tècniques són tecnologies de replicació de patrons molt prometedores. Poden combinar-se amb la impressió per contacte
La litografia d'escaneig per sonda ( Scanning Probe Lithographies o SPL) sembla ser una prometedora eina per a la producció de patrons en l'escala dels nanòmetres. Per exemple, els àtoms individuals es poden manipular usant la punta d'un microscopi d'efecte túnel ( Scanning Tunneling Microscope o STM). La nanolitografia de descens de sonda és la primera tecnologia comercial de tipus SPL disponible basada en el microscopi de força atòmica.
El desenvolupament més evolucionat de la NGL continua amb la litografia de raigs X, que pot arribar a estendre a resolucions de 15 nm per l'ús d'una reducció de camp proper.
Enllaços externs[modifica]
- La primera nanolitografia feta dins de Colòmbia
- Sistema de generació de patrons nanomètrics (NPGS)
- Articles amb les últimes notícies sobre investigació en nanotecnologia
- Nanonex
- Impressions moleculars
- EV Group
- Litografia de impression nanomètrica (NIL)
- Obducat
- NanoInk
- Raith
- http://www.jmar.com/JMAR
- Mikrotechnik
- National Lab - EUV
- IBM Researchers Develop 29/09 nm Xip-Manufacturing Process
- Sub-30nm pitch self-assembly assisted by large trenches
- Nanolithography at Georgia Tech