Jorès Ivànovitx Alfiórov

De Viquipèdia
Salta a la navegació Salta a la cerca
Infotaula de personaJorès Ivànovitx Alfiórov
Zhores Alfyorov 2012.jpg
Nom original (ru) Алфёров Жорес Иванович
Biografia
Naixement 15 març 1930
Vítsiebsk
Mort 1r març 2019 (88 anys)
Sant Petersburg
Causa de mort Crisi hipertensiva
Lloc d'enterrament Cementiri de Komarovo
  Diputat de la Duma Estatal 

1995 – 2019
Grup ètnic Bielorussos i jueus
Religió Ateisme
Educació Universitat d'Electrotècnica de Sant Petersburg
Activitat
Camp de treball Física de semiconductors
Ocupació Físic, polític i inventor
Ocupador Acadèmia Russa de les Ciències
Universitat Acadèmica de Sant Petersburg
Partit polític Partit Comunista de la Unió Soviètica
Premis
Modifica les dades a Wikidata

Jorès Ivànovitx Alfiórov (en rus: Алфёров Жорес Иванович) (Vítsiebsk, 15 de març de 1930 Sant Petersburg, 1 de març de 2019) fou un físic rus guardonat amb el Premi Nobel de Física de l'any 2000.

Biografia[modifica]

Va néixer el 15 de març de 1930 a la ciutat de Vítsiebsk, avui dia situada a Bielorússia que en aquells moments formava part de la Unió de Repúbliques Socialistes Soviètiques. Va estudiar electrònica a l'Institut electrotècnic de Leningrad, on es llicencià el 1952. Des de 1953 treballà a l'Institut fisicotècnic de Ioffe, inscrit a l'Acadèmia Soviètica de les Ciències, posteriorment anomenada Acadèmia russa de les Ciències. En aquest institut aconseguí el doctorat en física i matemàtiques l'any 1970.

El 1972 fou escollit membre de l'Acadèmia russa de les Ciències, del qual n'és vicepresident des de 1979. Des de 1995 fou membre de la Duma en representació del Partit Comunista de la Federació Russa.

Recerca científica[modifica]

Des de 1962 va estar treballant en l'àrea de heteroestructures de semiconductors. Les seves contribucions a la física i a la tecnologia de semiconductors han produït avanços en els camps dels làsers, cèl·lules fotovoltaiques, Díode LED i processos epitaxials de fabricació de microcomponents.

L'any 2000 fou guardonat, juntament amb Herbert Kroemer, amb la meitat del Premi Nobel de Física pel desenvolupament d'heteroestructures per a semiconductors d'alta velocitat i optoelectrònica. L'altra meitat del premi fou atorgada a l'enginyer nord-americà Jack Kilby per la invenció del circuit integrat.

Enllaços externs[modifica]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Jorès Ivànovitx Alfiórov Modifica l'enllaç a Wikidata