Leo Esaki

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Infotaula de personaLeo Esaki
Leo Esaki 1959.jpg
Nom original 江崎玲於奈
Dades biogràfiques
Naixement 12 de març de 1925 (92 anys)
Osaka
Ciutadania Japó
Alma mater Universitat de Tòquio
Universitat de Kyoto
Activitat professional
Camp de treball física
Ocupació físic
Ocupador Universitat de Kyoto
University of Tsukuba
Shibaura Institute of Technology
Yokohama College of Pharmacy
Premis i reconeixements
Modifica dades a Wikidata

Leo Esaki o Reona Esaki (江崎 玲於奈, Esaki Reona) (Osaka, Japó 12 de març de 1925) és un físic japonès guardonat amb el Premi Nobel de Física l'any 1973.

Biografia[modifica | modifica el codi]

Va estudiar física a la Universitat de Tòquio, llicenciant-se el 1947 i doctorant-se el 1959. Després de treballar com investigador a l'empresa Sony, el 1960 es traslladà als Estats Units on va ser contractat en el centre d'investigació de l'empresa IBM Thomas J. Watson Research Center. Interessat en la mecànica quàntica realitzà investigacions al voltant de l'efecte túnel sobre els semiconductors i superconductors, explicant l'efecte del díode d'Esaki pel qual estudià el pas d'electrons a través d'una barrera sòlida sense deixar cap rastre, reagrupant-se després en la seva formació inicial. Aquesta teoria té aplicacions actuals en electrònica, medicina i astronàutica. L'any 1973 fou guardonat amb el Premi Nobel de Física, juntament amb Ivar Giaver i Brian David Josephson, «pels experiments al voltant de semiconductors i superconductors».[1]

Referències[modifica | modifica el codi]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Leo Esaki Modifica l'enllaç a Wikidata