Díode Schottky: diferència entre les revisions
m m |
Creació dels apartats "aplicacions" i "avantatges i inconvenients" |
||
| Línia 7: | Línia 7: | ||
Una de les àrees d'investigació contínua sobre el díode Schottky se centra en la reducció de les elevades corrents de fuita que apareixen a temperatures superiors a 100 °C. |
Una de les àrees d'investigació contínua sobre el díode Schottky se centra en la reducció de les elevades corrents de fuita que apareixen a temperatures superiors a 100 °C. |
||
== Aplicacions == |
|||
Els díodes Schottky es poden utilitzar en aplicacions d'alta potència gràcies a la baixa caiguda de voltatge que aquests produeixen. Això vol dir que aquests díodes perden menys energia i poden reduir la quantitat de calor dissipada en comparació als [[Díode|díodes PN]] normals.<ref name=":0">{{Ref-publicació|article=How Schottky Diodes Work {{!}} EAGLE {{!}} Blog|publicació=Eagle Blog|llengua=en-US|url=https://www.autodesk.com/products/eagle/blog/schottky-diodes/|data=2018-04-23}}</ref><ref name=":1">{{Ref-web|url=https://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/schottky_diode/schottky_barrier_diode.php|títol=Schottky Barrier Diode {{!}} Applications, Operation, Symbol {{!}} Tutorial|consulta=2018-11-30|llengua=en}}</ref> |
|||
Una altra utilitat dels díodes Schottky és que poden ajudar a mantenir la potència separada en un sistema de subministrament de doble alimentació.<ref name=":0" /> Un exemple pot ser un subministrament format per una font d'alimentació elèctrica i una [[Bateria elèctrica|bateria]]. En aquests casos cal utilitzar un d'aquests díodes, ja que és necessari que la [[Potència elèctrica|potència]] d'un subministrament no s'introdueixi a l'altre. Tanmateix, és important que qualsevol caiguda de tensió a través dels díodes es minimitzi per garantir la màxima eficència. Com en moltes altres de les aplicacions, aquest díode és ideal a causa de la baixa caiguda de tensió.<ref name=":1" /> |
|||
A més, aquests díodes poden maximitzar l'eficència de les cèl·lules solars gràcies a la seva baixa caiguda de voltatge. També poden ajudar a les cèl·lules dels càrrecs inversos.<ref name=":1" /> |
|||
També, els díodes Schottky es poden utilitzar com a pinçes dins d'un circuit de [[Transistor|transistors]] per tal d'accelerar l'operació quan s'utilitza com a interruptor.<ref name=":1" /> Aquests circuits normalment són circuits lògics.<ref name=":0" /> En aquests circuits, els díodes s'insereixen entre el [[Col·lector (motor elèctric)|col·lector]] i la base del [[transistor]]. Quan el díode Schottky està present, això pren la major part del corrent i permet reduir considerablement el temps d'apagat del transistor, millorant així la velocitat del circuit.<ref name=":1" /><ref name=":2">{{Ref-publicació|cognom=Wu|nom=Kevin|article=|publicació=Introduction To SCHOTTKY Rectifier and Application Guidelines|url=http://www.farnell.com/datasheets/312532.pdf|data=|pàgines=}}</ref><ref>{{Ref-llibre|cognom=Baliga|nom=B. Jayant|títol=Trench Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifiers|url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-75589-2_4|data=2009|editorial=Springer US|lloc=Boston, MA|pàgines=75–115|isbn=9780387755885}}</ref> |
|||
== Avantatges i inconvenients == |
|||
=== Avantatges === |
|||
* Baixa caiguda de voltatge. Els díodes Schottky tenen un voltatge de 0,2 i 0,3 [[Volt|volts]]. En canvi, un díode estàndar de silici té un voltatge que va entre 0,6 i 0,7 volts.<ref name=":1" /><ref name=":2" /> |
|||
* Temps de recuperació més ràpid. El canvi de velocitat és més ràpid que un [[díode]] de connexió PN comparable.<ref name=":2" /> Això és degut a que els díodes Schottky tenen emmagatzemada una petita quantitat de càrrega, cosa que ho fa ideal per a aplicacions de commutació d'alta velocitat.<ref>{{Ref-publicació|article=Schottky Diode Working and Its Applications|publicació=ElProCus - Electronic Projects for Engineering Students|llengua=en-US|url=https://www.elprocus.com/schottky-diode-working-and-applications/|data=2016-05-25}}</ref> |
|||
* Més silenciós que un díode de connexió PN.<ref name=":0" /> |
|||
=== Inconvenients === |
|||
* Operació limitada d'alta temperatura. |
|||
* Fuites. |
|||
* Rang de tensió de ruptura limitada per al díode Schottky de silici.<ref name=":2" /> |
|||
== Vegeu també == |
== Vegeu també == |
||
Revisió del 18:35, 30 nov 2018
El díode Schottky (anomenat així pel físic alemany Walter H. Schottky) és un díode amb una caiguda de tensió en conducció directa molt baixa. Una aplicació típica és la protecció contra descàrregues de les cèl·lules solars connectades a bateries. Mentre que un díode estàndard de silici té una caiguda en directa de 0.6 V, als díodes Schottky sols és de 0.2 V. Això permet una velocitat de commutació més alta i proporciona també un alt rendiment.
El díode Schottky usa una unió metall-semiconductor com una barrera Schottky (en comptes de la unió semiconductor-semiconductor en els díodes convencionals). Aquesta barrera Schottky fa que els temps de commutació siguen molt ràpids i el voltatge en polarització directa baix. Com a metall se sol usar el molibdè, platí, crom o tungstè. El semiconductor normalment és tipus n.
Una de les àrees d'investigació contínua sobre el díode Schottky se centra en la reducció de les elevades corrents de fuita que apareixen a temperatures superiors a 100 °C.
Aplicacions
Els díodes Schottky es poden utilitzar en aplicacions d'alta potència gràcies a la baixa caiguda de voltatge que aquests produeixen. Això vol dir que aquests díodes perden menys energia i poden reduir la quantitat de calor dissipada en comparació als díodes PN normals.[1][2]
Una altra utilitat dels díodes Schottky és que poden ajudar a mantenir la potència separada en un sistema de subministrament de doble alimentació.[1] Un exemple pot ser un subministrament format per una font d'alimentació elèctrica i una bateria. En aquests casos cal utilitzar un d'aquests díodes, ja que és necessari que la potència d'un subministrament no s'introdueixi a l'altre. Tanmateix, és important que qualsevol caiguda de tensió a través dels díodes es minimitzi per garantir la màxima eficència. Com en moltes altres de les aplicacions, aquest díode és ideal a causa de la baixa caiguda de tensió.[2]
A més, aquests díodes poden maximitzar l'eficència de les cèl·lules solars gràcies a la seva baixa caiguda de voltatge. També poden ajudar a les cèl·lules dels càrrecs inversos.[2]
També, els díodes Schottky es poden utilitzar com a pinçes dins d'un circuit de transistors per tal d'accelerar l'operació quan s'utilitza com a interruptor.[2] Aquests circuits normalment són circuits lògics.[1] En aquests circuits, els díodes s'insereixen entre el col·lector i la base del transistor. Quan el díode Schottky està present, això pren la major part del corrent i permet reduir considerablement el temps d'apagat del transistor, millorant així la velocitat del circuit.[2][3][4]
Avantatges i inconvenients
Avantatges
- Baixa caiguda de voltatge. Els díodes Schottky tenen un voltatge de 0,2 i 0,3 volts. En canvi, un díode estàndar de silici té un voltatge que va entre 0,6 i 0,7 volts.[2][3]
- Temps de recuperació més ràpid. El canvi de velocitat és més ràpid que un díode de connexió PN comparable.[3] Això és degut a que els díodes Schottky tenen emmagatzemada una petita quantitat de càrrega, cosa que ho fa ideal per a aplicacions de commutació d'alta velocitat.[5]
- Més silenciós que un díode de connexió PN.[1]
Inconvenients
- Operació limitada d'alta temperatura.
- Fuites.
- Rang de tensió de ruptura limitada per al díode Schottky de silici.[3]
Vegeu també
 |
A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Díode Schottky |
- ↑ 1,0 1,1 1,2 1,3 «How Schottky Diodes Work | EAGLE | Blog» (en anglès). Eagle Blog, 23-04-2018.
- ↑ 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 «Schottky Barrier Diode | Applications, Operation, Symbol | Tutorial» (en anglès). [Consulta: 30 novembre 2018].
- ↑ 3,0 3,1 3,2 3,3 Wu, Kevin Introduction To SCHOTTKY Rectifier and Application Guidelines.
- ↑ Baliga, B. Jayant. Trench Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifiers. Boston, MA: Springer US, 2009, p. 75–115. ISBN 9780387755885.
- ↑ «Schottky Diode Working and Its Applications» (en anglès). ElProCus - Electronic Projects for Engineering Students, 25-05-2016.