Silicon Valley

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca
Infotaula de geografia físicaSilicon Valley
SAN JOSE CALIFORNIA PALM TREE 2010.jpg
Tipologia pol tecnològic
Ubicació
Estat Estats Units d'Amèrica
Localització Califòrnia 37° 22′ N, 122° 02′ O / 37.37°N,122.04°O / 37.37; -122.04

Modifica dades a Wikidata
Vista panoràmica de Silicon Valley.

Silicon Valley (o Vall del Silici) és el nom de la regió sud de l'àrea de la Badia de San Francisco, al nord de l'estat de Califòrnia (Estats Units). Queda comprès entre la Vall de Santa Clara i la meitat sud de la Península de San Francisco, en una regió que abasta des de Menlo Park fins a San José, el centre de la qual se situaria a Sunnyvale.[1]

Origen del terme[modifica | modifica el codi]

El terme Silicon Valley, ja havia estat utilitzat anteriorment per turistes, però va ser el periodista Don Hoefler qui el va popularitzar l'any 1971 arrel de la seva sèrie d'articles per Electronic News, que va titular "Silicon Valley USA". Hoefler buscava un nom per l'article, i va ser Ralph Vaerst, llavors president de Ion Equipment, qui va proposar-li silicon (silici) per l'alta concentració d'indústries relacionades amb els semiconductors, i valley en relació a la Vall de Santa Clara, on es concentrava tota aquesta activitat en els inicis. Actualment, el terme s'estén igualment a les indústries situades a ambdós costats de la badia.[1]

Durant anys de la dècada dels 70 i 80 es va dir incorrectament Silicone (silicona), en la majoria dels casos per periodistes, abans que el nom es fes familiar per la cultura americana.

Història: orígens[modifica | modifica el codi]

El convertiment de la Vall de Santa Clara en el Silicon Valley que l'ocupa actualment, es deu en gran part a dues persones: Frederick Terman, professor de la Universitat de Stanford i William Shockley, un dels co-creadors del transistor.

Stanford Industrial Park[modifica | modifica el codi]

Els inicis es remunten als problemes econòmics que va patir la Universitat de Stanford durant la dècada de 1950s. La Universitat tenia milers d'hectàrees sense ocupar, però es necessitava un capital que no tenien per poder dur a terme una ampliació en l'època de la postguerra. A més, el contracte original d'herència de Leland Stanford, qui va traspassar el terreny de la seva granja per la construcció de la Universitat, impedia que es pogués vendre, motiu pel qual havia de ser llogat.

La solució a aquests problemes la va aportar el professor Terman, qui va proposar la construcció d'un parc tecnològic que cooperés amb la Universitat, per tal que aquesta obtingués part dels beneficis que generés l'activitat de les empreses que hi situessin la seva seu. El professor Terman, del departament d'enginyeria electrònica, portava temps preocupat per la manca d'oportunitats a l'àrea de Stanford pels graduats en enginyeria, motiu pel qual molts es veien obligats a mudar-se a la Costa Est. Els primers ex-estudiants de Stanford en portar la seva empresa al Stanford Industrial Park van ser els fundadors de Varian Associaties. Un dels primers passos decisius de Terman per dur a terme la iniciativa, va ser portar dos dels seus antics estudiants: William Hewlett i David Packard, creadors de Hewlett-Packard (HP). Van ser molts els que els van seguir (ex-alumnes i membres de la facultat) en la investigació i, en alguns casos, en la fundació de companyies.[1][2] Entre les primeres companyies en llogar terrenys al Stanford Research Park es troben empreses de tant renom com Eastman Kodak, General Electric i Lockheed.[1]

L'any 1954, la Universitat de Stanford va crear el programa Honors Cooperative Program per tal que els treballadors de les oficines del Stanford Research Park poguessin graduar-se en estudis universitaris amb horaris adaptats.[3]

Semiconductors[modifica | modifica el codi]

Va ser en aquesta atmosfera en la qual l'any 1955 William Shockley, d'origen californià, va decidir mudar-se allà. Shockley havia abandonat Bell Labs el 1953 per un desacord sobre la forma en què s'havia presentat el transistor al públic, ja que a causa de interessos de patents, es va relegar el seu nom a un segon pla a favor dels co-inventors John Bardeen i Walter Houser Brattain. Després de divorciar-se de la seva dona, va tornar a Califòrnia per estar prop de la seva mare, que vivia a Palo Alto.[4] Va ser Shockley qui va iniciar la indústria de semiconductors a Silicon Valley amb el seu laboratori a Mountain View (Shockley Semiconductor Laboratory).[5]

Shockley es va proposar millorar el transistor utilitzant el silici com a material semiconductor en comptes del germani. Pretenia reemplaçar l'anterior transistor per un disseny de tres elements (actualment conegut com el díode de Shockley) que obtindria èxit comercial, però el disseny era considerablement més difícil de construir que el "simple" transistor i a mesura que el projecte va passar per dificultats, Shockley es va tornar cada vegada més paranoic. Va exigir que als empleats se'ls fessin proves amb un detector de mentides, va anunciar els seus salaris públicament i, en general, es va enemistar amb tot el món, el que va comportar que el 1957, vuit dels enginyers més dotats, que ell mateix havia dut, l'abandonessin per a formar la companyia Fairchild Semiconductor. Els coneguts com els "traitorous eight" van ser els creadors del microprocessador, i dos d'ells, Gordon Moore i Robert Noyce, van fundar Intel el 1968.[6]

Durant els anys següents aquest fet es repetiria diverses vegades; a mesura que els enginyers perdien el control de les companyies que havien creat, en caure en mans de directives exteriors les abandonaven per a formar les seves pròpies empreses. AMD, Signetics, National Semiconductor i Intel van començar com branques de Fairchild.

1970s[modifica | modifica el codi]

l començament de la dècada de 1970 tota la zona estava plena de companyies de semiconductors, que abastien a les companyies d'ordinadors abastint aquestes dues al seu torn a les companyies de programació i serveis. L'espai industrial era abundant i l'allotjament encara barat. El creixement es va veure potenciat pel sorgiment de la indústria de capitals arriscats en Sand Hill Road que va fundar Kleiner Perkins el 1972; la disponibilitat d'aquests capitals va esclatar després de l'èxit d'1,3 bilions de dòlars per l'OPA d'Apple Computer el desembre del 1980.

Fent mèrit d'aquesta herència, Silicon Valley és la seu de la cadena de grans magatzems d'alta tecnologia Fry's eletronics.

Companyies de renom[modifica | modifica el codi]

Milers d'empreses d'alta tecnologia han establert les seves seus generals a Silicon Valley; la següent llista són algunes de les quals figuren a Forbes 500:

Altres companyies famoses amb seu també a Silicon Valley:

Universitats[modifica | modifica el codi]

Ciutats[modifica | modifica el codi]

Algunes de les ciutats de Silicon Valley (per ordre alfabètic):

Vegeu també[modifica | modifica el codi]

Bibliografia[modifica | modifica el codi]

  • Dennis Hayes, Behind the silicon curtain : the seductions of work in a lonely era, London: Free Association Books 1989
  • David Naguib Pellow, Lisa Sun-Hee Park, The Silicon Valley of Dreams: Environmental Injustice, Immigrant Workers, and the High-Tech Global Economy, New York University Press 2003
  • Manuel Castells, "Tecnopolis del mundo" Capítol 2

Enllaços externs[modifica | modifica el codi]

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Silicon Valley Modifica l'enllaç a Wikidata

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. 1,0 1,1 1,2 1,3 Gromov, Gregory. «Silicon Valley: History & Future» (en anglès). Net Valley. [Consulta: 15 desembre 2016].
  2. «FRED TERMAN, THE FATHER OF SILICON VALLEY». www.netvalley.com. [Consulta: 15 desembre 2016].
  3. «Honors Cooperative Program (HCP) | Graduate Admissions». gradadmissions.stanford.edu. [Consulta: 15 desembre 2016].
  4. Markoff, John «BRIGHT IDEAS | SLIPSTREAM; Two Views of Innovation, Colliding in Washington». The New York Times, 13-01-2008. ISSN: 0362-4331.
  5. Leonhardt, David «Key Magazine - Real Estate - Housing». The New York Times, 06-04-2008. ISSN: 0362-4331.
  6. Goodheart, Adam «10 Days That Changed History». The New York Times, 02-07-2006. ISSN: 0362-4331.

Coord.: 37° 22′ N, 122° 02′ O / 37.37°N,122.04°O / 37.37; -122.04