Efecte Hall quàntum

De Viquipèdia
Dreceres ràpides: navegació, cerca


L'efecte Hall quàntum és una versió de l'efecte Hall de la mecànica quàntica que s'observa en el sistemes d’electrons de dos dimensions subjectea a baixes temperatures i camps magnètics forts, en els quals la conductivitat elèctrica, la σ, pren valors quantificats.

 \sigma = \nu \; \frac{e^2}{h},

on e és la càrrega elemental i h la constant de Planck. L'efecte Hall quàntum es refereix a la part sencera o fraccional de l'efecte Hall quàntic. La quantificació de la conductància Hall té la important propietat de ser extremadament precisa. Els mesuraments de la conductància Hall s'ha trobat que se situen com múltiples sencers o fraccions d’e2/h de gairebé una part per mil milions. Aquest fenomen rep el nom de "quantització exacta", que va ser descoberta per Klaus von Klitzing, i permet una nova definició estàndard de la resistència elèctrica basada en la resistència quàntica.[1] Des de 1990, un valor convencional fix de RK-90 es fa servir, a tot el món, en la calibració de les resistències elèctriques.[2] L'efecte Hall quàntum també permet una determinació extremadament precisa de la constant d'estructura fina una quantitat d'importància fonamental en l'electrodinàmica quàntica.

Referències[modifica | modifica el codi]

  1. Tzalenchuk, Alexander; Lara-Avila, Samuel; Kalaboukhov, Alexei; Paolillo, Sara «Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene». Nature Nanotechnology, 5, 3, 2010, pàg. 186–189. Bibcode: 2010NatNa...5..186T. DOI: 10.1038/nnano.2009.474. PMID: 20081845.
  2. «conventional value of von Klitzing constant». NIST.

Bibliografia[modifica | modifica el codi]